第１編　薄膜材料の特性と特徴
第１章　薄膜の特徴と特性
　第１節　薄膜とは
　　　　　　薄膜の定義と表現 ／ 薄膜の歴史
　第２節　薄膜の特徴
　　　　　　薄膜化効果 ／ 表面効果および界面効果 ／
　　　　　　結晶構造変化多層構造による効果 ／ その他
　第３節　薄膜の特性と作製方法
　　　　　　要求特性と作製条件 ／ 作製・形成方法 ／ 薄膜作製の素過程 ／
　　　　　　薄膜特性と作製方法
　第４節　薄膜の特性と評価
　　　　　　評価技術全般 ／ 組成・構造評価 ／ 特性(物性)評価

第２章　薄膜材料の電気特性
　第１節　電気伝導
　　　　　　さまざまな輸送現象 ／ ボルツマン輸送方程式 ／ 磁気輸送現象 ／
　　　　　　電子の散乱 ／ 量子輸送現象
　第２節　磁界効果
　　　　　　電流磁気効果の一般論 ／ 結晶軸に対する異方性の基本例 ／
　　　　　　薄膜構造の影響の基礎 ／
　　　　　　MOS反転層における2次元導電現象と電流磁気効果
　第３節　熱電効果
　　　　　　熱電効果 ／ 熱電能の一般式 ／ 薄膜材料の熱電能の測定
　第４節　ピエゾ抵抗
　　　　　　ピエゾ抵抗係数 ／ n型Si(多谷型伝導帯)のピエゾ抵抗係数 ／
　　　　　　p型Siのピエゾ抵抗係数

第３章　薄膜材料の磁気特性
　第１節　まえがき
　第２節　磁性体の分類および磁気的性質
　　　　　　磁性体の分類 ／ 飽和磁化およびキュリー温度 ／ 磁気異方性 ／ 磁区
　第３節　軟磁性薄膜
　　　　　　金属ソフト磁性材料開発のアプローチ ／ パーマロイ薄膜 ／
　　　　　　Fe-Co-Ni合金薄膜 ／ センダスト系薄膜 ／ 微結晶薄膜
　第４節　硬磁性薄膜
　　　　　　磁気記録媒体としての磁性薄膜 ／ 
　　　　　　Nd-Fe-B/α-Fe多層膜型ナノコンポジット磁石
　第５節　スピンエレクトロニクス薄膜
　　　　　　磁気抵抗効果 ／ 金属人工格子，多層膜 ／ トンネル接合

第４章　薄膜材料の光学特性
　第１節　透過・反射
　　　　　　薄膜の光学 ／ 光学多層膜の透過・反射 ／ 導波路
　第２節　吸収
　　　　　　薄膜における光吸収のメカニズムによる分類 ／
　　　　　　半導体(結晶)における吸収
　第３節　発光
　　　　　　薄膜における発光のメカニズムによる分類 ／
　　　　　　母体中に添加された原子やイオンを利用した発光材料 ／
　　　　　　半導体中の電子と正孔の再結合を利用した発光材料
　第４節　電気光学効果
　　　　　　電気光学効果とは ／ 強誘電体材料での屈折率変化の表現 ／
　　　　　　ポッケルス効果 ／ カー効果 ／ フランツ―ケルディッシュ効果 ／
　　　　　　量子閉込め構造での電界効果
　第５節　磁気光学効果
　　　　　　磁気光学効果の現象論 ／ 磁気光学効果の測定法 ／
　　　　　　各種物質の磁気光学スペクトル
　第６節　光伝導・光起電力
　　　　　　光伝導 ／ 光起電力

第５章　薄膜材料の力学特性
　第１節　応力・ひずみ
　　　　　　応力測定法 ／ 蒸着膜応力 ／ スパッタ膜応力 ／ 真性応力の原因
　第２節　硬さ・強度
　　　　　　硬さの物理的意味 ／ 超微小硬さについて ／ 薄膜の硬さ測定例
　第３節　付着力
　　　　　　付着力と破壊 ／ 付着力の原因 ／ 付着性評価法 ／
　　　　　　成膜プロセスと付着力 ／ 付着力向上対策のまとめ
　第４節　薄膜トライボロジー
　　　　　　薄膜のトライボロジー特性評価法 ／
　　　　　　薄膜形成によるトライボロジー特性改善のメカニズム ／
　　　　　　薄膜材料のトライボロジー

第６章　薄膜材料の化学特性
　第１節　表面反応
　　　　　　シリコンの熱酸化 ／ シリコン系の窒化 ／ 金属の高温酸化
　第２節　光触媒
　　　　　　光触媒と光電気化学セル ／ 微粒子光触媒のエネルギー構造 ／
　　　　　　光触媒の反応性に対する粒径効果 ／ 酸化チタン光触媒 ／
　　　　　　酸化チタンの光触媒作用 ／ 酸化チタン光触媒の固定化 ／
　　　　　　酸化チタン透明薄膜光触媒の抗菌性 ／
　　　　　　酸化チタン透明薄膜光触媒の超親水性
　第３節　耐食性，腐食性
　　　　　　腐食性 ／ 耐食性
　第４節　(超)はっ水／(超)親水表面
　　　　　　ぬれを支配する二つの因子 ／ ぬれに対する化学的因子の効果 ／
　　　　　　フラクタル表面のぬれ：微細構造因子の効果 ／
　　　　　　超はっ水／はつ油表面の実現 ／ 超はっ水表面に関する他の研究


第２編　薄膜の作製と加工
第１章　基板と表面処理
　第１節　金属基板
　　　　　　ステンレス鋼基板 ／ 非鉄材料
　第２節　半導体基板(Si，GaAs等　�V−�X族化合物，SiC)
　　　　　　シリコン基板表面処理 ／ GaAs等�V−�X族化合物半導体基板表面処理 ／
　　　　　　SiC基板表面処理
　第３節　絶縁体基板
　　　　　■ガラス基板
　　　　　　　ガラス材料の特徴 ／ ガラス基板への要求項目 ／
　　　　　　　各種基板ガラスの種類および製造法 ／ ガラス基板の代表的用途
　　　　　■酸化物単結晶基板：サファイア(Al２O３，ペロブスカイト)
　　　　　　　サファイア(Al２O３) ／ 酸化亜鉛(ZnO) ／ 
　　　　　　　各種ペロブスカイト基板結晶 ／ 微傾斜基板ほか
　　　　　■酸化物基板：マグネシア(MgO)
　　　　　　　マグネシア単結晶の育成 ／ 
　　　　　　　マグネシア単結晶基板の加工マグネシア単結晶基板の熱処理
　第４節　プラスチック基板
　　　　　　プラスチックとは ／ プラスチック基板の留意点 ／ 応用各論 ／
　　　　　　まとめと将来展望

第２章　PVD法
　第１節　真空蒸着法
　　　　　　真空蒸着 ／ 化合物の蒸着
　第２節　分子線エピタキシー(MBE)法
　　　　　　MBEの原理と特徴 ／ 固体ソースMBE装置とMBE成長 ／
　　　　　　ガスソースMBE装置と成長過程 ／ �V−�X族化合物半導体のMBE ／
　　　　　　Si系半導体のMBE ／ �U−�W族化合物半導体のMBE ／
　　　　　　シリサイド，金属間化合物，絶縁物のMBE
　第３節　スパッタリング法
　　　　　　スパッタ現象 ／ スパッタ成膜過程 ／ スパッタ成膜法
　第４節　イオン化蒸着法
　　　　　　薄膜形成におけるイオン照射効果 ／ イオン化蒸着膜の形成方法と特徴
　第５節　パルスレーザ堆積(レーザアブレーション)法
　　　　　　原理と特徴 ／ 成膜装置 ／ メカニズム ／ 研究例 ／
　　　　　　新しい展開：コンビナトリアルレーザ ／ 分子線エピタキシー法

第３章　CVD法
　第１節　熱CVD法
　　　　　■熱CVDの原理
　　　　　　　熱CVD反応系の種類とその特徴
　　　　　■シリコン系半導体膜
　　　　　　　SiGe薄膜のGe比率制御とP，B，Cドーピング制御 ／
　　　　　　　シリコン系薄膜の選択エピタキシャル成長と多結晶成長 ／
　　　　　　　シリコン系薄膜の原子層成長制御と原子層ドーピング制御 ／
　　　　　■金属・シリサイド膜
　　　　　　　各論(Siデバイス適用例)
　　　　　■金属窒化膜
　　　　　　　金属窒化膜の堆積
　　　　　■絶縁膜
　　　　　　　低温熱CVD：SiO２ ／ 高温熱CVD：SiO２ ／ 高温熱CVD：Si３N４
　第２節　ALE法
　　　　　■ALE法の原理
　　　　　　　ALEの特徴 ／ ALEプロセスのメカニズム ／ ALEプロセスウインドー ／
　　　　　　　ALEリアクター
　　　　　■ALE法によるアルミナ／チタニア積層膜の形成
　　　　　　　ATO膜の特徴 ／ ATO膜の実例
　　　　　■LSI用膜
　　　　　　　ALCVD法の特徴とLSI用膜への適用性 ／
　　　　　　　LSI用膜のALCVDプロセス概要 ／ Al２O３膜 ／ ZrO２膜 ／ その他
　第３節　プラズマCVD法
　　　　　■プラズマCVD法および光CVD法
　　　　　　　プラズマCVD法の原理・概観 ／ 光CVDの原理・概観
　　　　　■アモルファスおよび微結晶シリコン系薄膜
　　　　　■シリコンおよびlow‐k膜の成膜
　　　　　　　シリコンの低温成膜 ／ low‐k膜の成膜
　第４節　MOCVD法
　　　　　■MOCVD法の原理
　　　　　　　MOCVD用原料 ／ MOCVD装置 ／ 結晶成長機構
　　　　　■�V−�X族
　　　　　　　GaAs系 ／ InP系 ／ GaN系 ／ 選択成長 ／ 量子ナノ構造
　　　　　■�U−�W族
　　　　　　　�U−�W族半導体とMOCVD ／ ナローギャップ系 ／ ミドルギャップ系 ／
　　　　　　　ワイドギャップ系
　　　　　■酸化物
　　　　　　　超伝導酸化物薄膜 ／ 強誘電性酸化物薄膜 ／ 酸化物薄膜の原子層CVD

第４章　液相成長法
　第１節　液相エピタキシー法
　　　　　　原理と成長方法 ／ 成長層の厚さの制御 ／ 混晶の組成制御格子整合 ／
　　　　　　不純物濃度の制御
　第２節　種子結晶基板製作への応用と展望
　　　　　　基板用結晶と成長原理 ／ 厚い結晶層の成長法

第５章　塗布・ゾル−ゲル法
　第１節　塗布法
　　　　　　概略 ／ 塗布形成層間絶縁膜材料 ／ スピンコーティング法 ／
　　　　　　プリウェット−スピンコーティング法 ／ ノズルスキャン塗布法
　第２節　インクジェット塗布法
　　　　　　インクジェットの要素技術 ／ インクジェット液滴の特徴 ／
　　　　　　インクジェット塗布成膜技術：有機ELディスプレイ開発
　第３節　ゾル−ゲル法による機能性薄膜の作製
　　　　　　ゾル−ゲルプロセス ／ 無機・有機ハイブリッド膜 ／
　　　　　　ゾル−ゲル法による機能性薄膜と微細パターニング ／
　　　　　　光感応性ゲル膜による電子・光学素子の作製 ／ 光学素子の作製 ／
　　　　　　電気めっき ／ 無電解めっき ／ 応用例

第６章　ナノ構造作製法
　第１節　ナノ構造作製法の原理
　　　　　　半導体微細加工技術 ／ 電子ビーム用レジストの解像度 ／ 
　　　　　　高解像度電子線用ネガ型レジスト：カリックスアレン ／ 
　　　　　　レジストの分子量と解像度ならびに感度の関係 ／ 
　　　　　　集束イオンビームによる立体ナノ構造形成技術 ／ 
　第２節　MBEによる自己形成量子ドット
　　　　　　自己形成量子ドットの形成原理 ／ MBEによる形成技術
　第３節　フォトニック結晶
　　　　　　完全3次元フォトニック結晶と超小型光回路 ／
　　　　　　2次元フォトニック結晶とその応用

第７章　有機・高分子・生体関連薄膜作製法
　第１節　ウェット作製プロセス
　　　　　■スピンコート，LB
　　　　　　　スピンコーティング ／ 水面上の単分子膜形成能と化学構造 ／
　　　　　　　単分子膜 ／ LB法 ／ LB膜の構造 ／ LB膜製膜装置 ／ π‐A曲線
　　　　　■電解重合法
　　　　　　　薄膜作製法としての電解重合法 ／ 電解重合膜の作製システム ／
　　　　　　　電解重合膜の成長 ／ カウンターイオンによる機能付加 ／
　　　　　　　電気化学デバイスの固体化
　　　　　■交互吸着法
　　　　　　　交互吸着法とは ／ 薄膜作製法 ／ 積層薄膜の構造 ／
　　　　　　　交互吸着法の展開 ／ 交互吸着膜の利用
　第２節　ドライ作製プロセス
　　　　　■蒸着法(分子線エピタキシー法)
　　　　　　　ファンデアワールス基板上への有機薄膜のエピタキシャル成長 ／
　　　　　　　ダングリングボンド終端した基板表面上への
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　有機薄膜のエピタキシャル成長 ／
　　　　　　　イオン結晶基板上への有機分子薄膜のエピタキシャル成長 ／
　　　　　　　選択成長による有機ナノ構造の作製 ／ 今後の展望
　　　　　■蒸着重合
　　　　　　　ラジカル重合系蒸着重合 ／ 縮合系蒸着重合 ／ 蒸着重合の特徴 ／
　　　　　　　蒸着重合の応用 ／ 将来の薄膜材料への展望
　第３節　ソフトマテリアルの自己組織化
　　　　　■金‐チオール自己組織化膜
　　　　　　　自己組織化膜の作製法 ／
　　　　　　　アルカンチオール自己組織化膜の構造と物性 ／
　　　　　　　機能性自己組織化膜の作製と応用
　　　　　■低分子(合成脂質系)
　　　　　　　双頭型脂質の分子設計 ／ 種々の高軸比ナノ構造(HARN)形成
　　　　　■自己組織化による高分子薄膜のパターン化
　　　　　　　高分子キャスト過程における「自己組織化」現象 ／
　　　　　　　材料化に向けて ／タンパク質の2次元結晶化 ／
　　　　　　　生体内のタンパク質2次元結晶 ／ タンパク質2次元結晶作製 ／
　　　　　　　水溶性タンパク質：フェリチンの2次元結晶化の実例 ／
　　　　　　　固体基板上に作られる2次元結晶の例：S-layer，Hsp ／
　　　　　　　タンパク質の結晶化の目的と新しい応用

第８章　パターン化技術
　第１節　リソグラフィ
　　　　　　リソグラフィの動向 ／ KrF(248nm)リソグラフィ ／
　　　　　　超解像リソグラフィ ／ ArF(193nm)リソグラフィ ／
　　　　　　レーザ(157nm)リソグラフィ ／ X線リソグラフィ ／
　　　　　　電子線リソグラフィ
　第２節　レジスト
　　　　　　リソグラフィの動向とレジスト ／
　　　　　　KrF(248nm)リソグラフィ用レジスト ／
　　　　　　ArF(193nm)リソグラフィ用レジスト ／
　　　　　　F2レーザ(157nm)リソグラフィレジスト材料 ／
　　　　　　EUV(extremeUV：13nm)用レジスト ／ 電子線レジスト
　第３節　ウェットエッチング
　　　　　　SiO２のエッチング ／ Si３N４のエッチング ／
　　　　　　その他の絶縁膜エッチング ／ Siのエッチング ／
　　　　　　その他の半導体材料のエッチング ／ 金属のエッチング

第９章　薄膜の加工／改質技術
　第１節　CMP技術
　　　　　　LSIデバイス平たん化とCMP技術 ／ CMP装置と研磨液 ／
　　　　　　LSIデバイス平たん化工程への実施例
　第２節　再結晶・アニール
　　　　　　レーザビーム再結晶化法 ／ 高品位多結晶Si薄膜形成方法
　第３節　プラズマエッチング技術
　　　　　　プラズマエッチングとは ／ プラズマエッチング機構 ／
　　　　　　プラズマエッチング装置 ／ チャージアップダメージの抑制 ／
　　　　　　高密度プラズマ生成における放電周波数の効果 ／
　　　　　　ガス構造最適化による高精度エッチング
　第４節　レーザ加工・改質
　　　　　　薄膜加工・改質用レーザ ／ 研究開発状況
　第５節　X線(放射光)・電子線加工・改質
　　　　　　放射光加工 ／ 電子線加工
　第６節　ビーム加工
　　　　　　電子ビーム加工 ／ 集束イオンビーム加工 ／ 物質波テクノロジー
　第７節　STM加工
　　　　　■無機物
　　　　　　　原子の移動による加工 ／ クラスターの移動による加工 ／
　　　　　　　水素原子はく離によるテンプレート作製と原子オーダ加工 ／
　　　　　　　走査プローブ陽極酸化法を用いた微細加工
　　　　　■走査プローブ顕微鏡による有機材料の加工・記録
　　　　　　　プローブ加工 ／ プローブ記録 ／ プローブ加工・記録の今後


第３編　薄膜・表面・界面の分析と評価
第１章　薄膜・表面・界面の分析・評価
　第１節　電子線
　　　　　　透過電子回折法(transmission electron diffraction；TED)
　　　　　　反射高速電子回折法
　　　　　　　(reflection high-energy electron diffraction；RHEED)
　　　　　　低速電子回折法(low-energy electron diffraction；LEED)
　　　　　　透過電子顕微鏡法(transmission electron microscopy；TEM)
　　　　　　反射電子顕微鏡法(reflection electron microscopy；REM)
　　　　　　反射低速電子顕微鏡法(low-energy electron microscopy；LEEM)
　　　　　　走査電子顕微鏡法(scanning electron microscopy；SEM)
　　　　　　走査透過電子顕微鏡法
　　　　　　　(scanning transmission electron microscopy；STEM)
　　　　　　走査反射電子顕微鏡法
　　　　　　　(canning reflection electron microscopy；SREM)
　　　　　　電子顕微鏡を用いた分析(analyticalelectronmicroscopy；AEM)
　第２節　イオンビームによる組成分析
　　　　　　SIMS ／ PIXE ／ RBS ／ ISS
　第３節　光
　　　　　　概説 ／ 光吸収，光反射 ／ フォトルミネッセンス ／ 光伝導・光容量法
　第４節　SOR光
　　　　　　SOR光の発生 ／ 挿入光源 ／ 装置 ／ 分析方法 ／
　　　　　　放射光施設利用に際しての留意点
　第５節　薄膜のX線評価
　　　　　　多結晶薄膜 ／ 単結晶薄膜
　第６節　XPS・UPS
　　　　　　特徴 ／ 装置 ／ XPSスペクトルに含まれる情報 ／ 深さ方向分析 ／
　　　　　　分析例 ／ 測定における注意点
　第７節　走査プローブ顕微鏡
　　　　　　走査トンネル顕微鏡(STM) ／ 原子間力顕微鏡(AFM) ／
　　　　　　走査プローブ顕微鏡(SPM)

第２章　薄膜分析・評価対象各論
　第１節　膜厚分析
　　　　　　膜厚測定法
　第２節　組成分析
　　　　　　Lambert‐Beerの法則と検量線 ／
　　　　　　特性X線や単色X線による励起と定性分析
　　　　　　XPSの定量分析 ／ X線・電子線による内殻励起と定性分析 ／
　　　　　　イオンによる励起と定性分析 ／ オージェ電子分光法(AES)の定量分析
　第３節　形態分析
　　　　　　透過電子顕微鏡 ／ 走査電子顕微鏡 ／ 反射電子顕微鏡 ／
　　　　　　低エネルギー電子顕微鏡
　第４節　結晶性―RHEED法を中心として
　　　　　　電子の波長 ／ 電子回折理論 ／ RHEED図形による薄膜結晶の評価
　第５節　化学結合状態
　　　　　　事前作業 ／ 手法 ／ 帯電とエネルギーの較正 ／ 相手元素(組成) ／
　　　　　　価数(形式価数)とピークエネルギー値 ／ オージェパラメータ ／
　　　　　　主ピークからのエネルギー損失関数 ／ 多重項分離 ／
　　　　　　測定時損傷：化学状態分析の限界
　第６節　欠陥・応力・ひずみ・付着力―界面強度の力学的評価
　　　　　　界面強度の考え方 ／ 界面端からの亀裂発生 ／ 評価試験法 ／
　　　　　　界面亀裂の伝播
　第７節　薄膜の表面・界面制御と信頼性
　　　　　　薄膜の研究開発と表面・界面制御 ／ 薄膜界面の役割 ／
　　　　　　薄膜界面制御事例


第４編　薄膜技術の応用と展望
第１章　半導体デバイス
　第１節　LSI
　　　■ MOSFET用薄膜の応用と展望
　　　　　　薄膜とデバイススケーリング則 ／ MOSFET構造の技術トレンド ／
　　　　　　MOSFET用シリサイド膜と金属膜 ／ 技術展望
　　　■ ゲート酸化膜
　　　　　　ゲート酸化膜の薄さ ／ 酸化膜の絶縁破壊 ／
　　　　　　ストレス誘起リーク電流(SILC) ／ 今後の展開
　　　■ メモリーセル用薄膜：DRAM用キャパシタ薄膜
　　　　　　DRAMの動作原理 ／ メモリーセル構造の変遷：キャパシタ容量の確保 ／
　　　　　　キャパシタ材料とキャパシタ薄膜作製プロセス ／
　　　　　　DRAM用キャパシタの課題と技術動向
　　　■ フラッシュメモリー用トンネル絶縁膜
　　　　　　フラッシュメモリーの素子構造と動作原理 ／
　　　　　　トンネル絶縁膜への要求性能 ／ トンネル酸窒化膜 ／
　　　　　　トンネル絶縁膜の今後の課題
　　　■ FeRAM用キャパシタ薄膜
　　　　　　FeRAMの動作原理 ／ キャパシタ材料とFeRAMの作製プロセス ／
　　　　　　FeRAM用キャパシタの課題と動向
　　　■ MRAM用強磁性トンネル接合薄膜
　　　　　　MRAMの素子構造と動作原理 ／ TMR素子材料 ／
　　　　　　薄膜作製プロセスと製造装置MRAM用TMR薄膜の課題と動向
　　　■ イオン注入
　　　　　　イオン注入法の特徴 ／ イオン注入装置 ／
　　　　　　LSIデバイスにおけるイオン注入の応用と将来展望
　　　■ SOI
　　　　　　SOI基板の製造方法 ／ SOIデバイス
　第２節　化合物電子デバイス／量子効果デバイス
　　　■ HEMT(高電子移動度トランジスタ)
　　　　　　素子構造と動作原理 ／ InP系HEMTとその特性 ／
　　　　　　AlGaN/GaN系HEMTとその特性 ／ Si系HEMT ／ MMIC技術
　　　■ ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)
　　　　　　動作原理と直流動作 ／ 高周波動作 ／ 電子走行時間 ／
　　　　　　実際のデバイス構造 ／ 結晶系の変更によるHBTの高性能化 ／
　　　　　　HBTの回路応用
　　　■ 量子効果素子

第２章　光部品
　第１節　光学多層膜光部品
　　　■ 反射防止膜
　　　　　　光学薄膜の特性計算 ／ 単層反射防止膜 ／ ２層反射防止膜 ／
　　　　　　３層反射防止膜 ／ ４層反射防止膜 ／ 等価膜と多層反射防止膜
　　　■ ミラーおよびフィルター
　　　　　　反射増強膜(ミラー類) ／ 波長分割膜(フィルター類) ／
　　　　　　光路・光量分割膜(ビームスプリッター類) ／ その他の光学薄膜
　　　■ 光学多層膜の応用例および評価方法
　　　　　　光学多層膜の応用例 ／ 光学薄膜の評価方法
　第２節　光導波路デバイス
　　　■ 無機光導波路デバイス
　　　　　　PLCデバイスの特徴 ／ 石英系ガラス導波路の作製法 ／
　　　　　　アレイ導波路回折格子(AWG)型波長フィルター ／
　　　　　　光スイッチアドドロップデバイス ／
　　　　　　AWGと半導体をハイブリッド化した高速波長セレクタ ／
　　　■ 有機光導波路デバイス
　　　　　　ポリマー材料の設計と合成 ／ 光導波路作製プロセス ／
　　　　　　光インターコネクションと光実装応用 ／ 光導波路デバイス
　第３節　発光ダイオード
　　　　　　LEDとは ／ LEDの発光原理，発光効率 ／
　　　　　　η｢発光効率｣を向上させるためのLEDの構造 ／ 半導体材料と発光波長
　第４節　半導体レーザ
　　　■ �V−�X族半導体レーザ
　　　　　　半導体レーザの構造と薄膜作製技術 ／
　　　　　　�V−�X族半導体レーザの応用分野 ／
　　　　　　光ディスク用半導体レーザ
　　　■ 青紫色LD
　　　　　　低転位GaN形成技術 ／ 低転位GaN上400nm帯LDの構造LD特性 ／
　　　　　　今後の展望
　第５節　CCD・イメージセンサ
　　　　　　CCDの原理 ／ CCDのイメージセンサへの応用 ／ CMOSセンサ

第３章　ディスプレイ
　第１節　薄膜ELディスプレイ
　　　　　　薄膜ELディスプレイの構造と動作 ／
　　　　　　EL動作機構とEL発光材料に要求される特性 ／
　　　　　　薄膜ELディスプレイの発光層材料 ／
　　　　　　薄膜絶縁層と透過型ELディスプレイ ／
　　　　　　薄膜発光層／厚膜絶縁層混成構造カラーELディスプレイ
　第２節　LCD
　　　■ アモルファスSiTFT
　　　　　　アモルファスSiTFTの構造 ／ TFT用薄膜材料と製造工程 ／
　　　　　　アモルファスSiTFTの特性 ／ アモルファスSiTFT-LCDの動向
　　　■ 多結晶SiTFT
　　　　　　TFTプロセス ／ TFT構造 ／ 今後の課題と展望
　第３節　PDP
　　　　　　AC型カラーPDPの構造 ／ PDPの表示原理 ／ PDPの作製工程 ／ 今後の展望
　第４節　透明導電膜―ITOを中心に
　　　　　　電気伝導機構 ／ 低抵抗化へのチャレンジ ／ アモルファスITO薄膜 ／
　　　　　　超平たんITO薄膜
　第５節　FED
　　　　　　FEDの基本構造 ／
　　　　　　フィールドエミッタ(FE)からの
　　　　　　　　　　　　　電子放射FEDの駆動原理とパネルの試作例 ／
　　　　　　その他のエミッタとFEDの試作例

第４章　記録
　第１節　磁気記録用薄膜の応用と課題
　　　　　　AMRヘッド材料 ／ GMR材料：スピンバルブに至るまで ／
　　　　　　スピンバルブGMRヘッド材料 ／ 将来展望と課題
　第２節　CD・DVD・ROM
　　　　　　光ディスクの記録・再生原理 ／ 光ディスクの作製プロセス ／
　　　　　　コンパクトディスク(CD) ／ DVD ／ 高密度化のアプローチ ／
　　　　　　光ディスクの発展
　第３節　書換え型CD・DVD
　　　　　　相変化光ディスクの概要 ／ Ge‐Sb‐Te系記録材料 ／ ディスク構造 ／
　　　　　　誘電体保護層 ／ 書換え型光ディスクの高密度化
　第４節　近接場記録
　　　　　　近接場光と表面プラズモン光 ／ 近接場光と光記録 ／
　　　　　　近接場記録の今後の展開
　第５節　蒸着テープ
　　　　　　蒸着テープの構造 ／ 斜方蒸着法 ／
　　　　　　磁気特性の制御方法と磁性膜の微細構造 ／
　　　　　　記録再生特性と走行耐久性の向上 ／ 蒸着テープのアプリケーション ／
　　　　　　今後の技術動向
　第６節　光磁気ディスク
　　　　　　記録媒体の構造 ／ 記録原理と変調方式 ／ 再生原理と高密度化技術

第５章　センサ
　第１節　ガスセンサ
　　　　　　ガスセンサの概要 ／ 半導体ガスセンサ ／
　　　　　　固体電解質センサへの薄膜技術の応用 ／
　　　　　　その他のガスセンサへの薄膜技術の応用 ／
　第２節　力学センサ
　　　　　　力センサとトルクセンサ ／ 圧力センサ ／ 加速度センサ ／
　　　　　　角速度センサ ／ 振動・衝撃センサ ／ 温度センサと流量センサ
　第３節　磁気センサ
　　　　　　薄膜磁気センサ ／ SQUIDセンサ ／ MI効果センサ ／
　　　　　　フラックスゲートセンサ ／ Hall効果センサ ／ MR/GMR/TMR効果センサ
　第４節　赤外線センサ
　　　　　　量子型赤外線センサ ／ 熱型赤外線センサ
　第５節　においセンサ
　　　　　　においセンサの原理 ／ 定常応答測定装置 ／ 測定結果 ／
　　　　　　計算化学を用いたセンサ応答予測法
　第６節　バイオセンサ
　　　　　　バイオセンサの原理 ／ 酵素固定化膜の作製と酵素センサ免疫センサ ／
　　　　　　微生物センサ ／ 動物・植物組織センサ ／ 電極型遺伝子チップセンサ

第６章　マイクロマシン
　第１節　マイクロマシン技術
　　　　　　マイクロマシニングとナノマシニング ／ 具体例 ／ 実用化の課題
　第２節　マイクロマシンと薄膜の機械的物性
　　　　　　マイクロマシニング技術を用いた薄膜の機械的物性評価手法
　第３節　アクチュエータとその応用
　　　　　　各種のマイクロアクチュエータ ／ マイクロアクチュエータの応用 ／
　　　　　　今後の展望
　第４節　マイクロ成形応用
　　　　　　マイクロマシンとマイクロ成形応用 ／ 微細3次元加工技術の要求 ／
　　　　　　世界におけるLIGAプロセス研究開発状況 ／
　　　　　　LIGAプロセスの課題と今後の展開 ／
　　　　　　姫路工業大学放射光施設(ニュースバル)

第７章　環境エネルギー
　第１節　シリコン太陽電池
　　　　　　太陽電池の動作原理と特徴 ／ 太陽電池の種類 ／ 薄膜太陽電池の特徴 ／
　　　　　　a‐Si太陽電池 ／ 薄膜多結晶Si太陽電池 ／ ハイブリッド太陽電池 ／
　　　　　　太陽電池の応用 ／ 今後の展望
　第２節　CIS系薄膜太陽電池
　　　　　　CIS系薄膜太陽電池の特徴 ／ CIS系薄膜太陽電池の製造法 ／
　　　　　　応用例：商業化への動き
　第３節　色素増感太陽電池
　　　　　　グレッツェル・セルの構造とその作製法 ／
　　　　　　グレッツェル・セルの発電機構 ／
　　　　　　グレッツェル・セルの特徴 ／ 実用化への課題
　第４節　燃料電池
　　　　　　燃料電池とその原理 ／ 燃料電池の構成 ／ 燃料電池の種類 ／
　　　　　　固体高分子型燃料電池 ／ 水素源
　第５節　光触媒
　　　　　　光触媒の特徴 ／ タンカー流出油の分解 ／ 環境ホルモンの分解 ／
　　　　　　染色廃液の脱色 ／ ダイオキシン類の分解 ／ 大気浄化
　第６節　選択透過膜
　　　■ 選択透過無機膜
　　　　　　セラミックス膜 ／ 炭素膜 ／ ゼオライト膜 ／ 触媒膜
　　　■ 有機高分子膜
　　　　　　ガス分離膜 ／ 促進輸送膜 ／ 浸透気化(蒸気透過)分離膜 ／ 薄膜作製
　第７節　親水・はっ水膜
　　　　　　親水／はっ水膜材料 ／ 親水膜の応用 ／ はっ水膜の応用 ／ 今後の展望
　第８節　金属酸化物多孔性薄膜
　　　　　　微粒子間の空隙を利用した多孔性薄膜の作製 ／
　　　　　　鋳型法による多孔性薄膜の作製

第８章　有機バイオデバイス
　第１節　有機発光素子
　　　■ 有機薄膜発光ダイオード
　　　　　　有機LEDディスプレイの研究開発 ／
　　　　　　有機LEDの動作原理有機LEDに用いる材料
　　　■ 有機固体レーザ
　　　　　　共振器構造の設計 ／ 有機材料の設計 ／ 導波路構造の検討
　第２節　導電性高分子薄膜
　　　■ ポリアセチレン
　　　　　　ケミカルドーピング ／ 電気伝導度 ／ ポリアセチレン ／
　　　　　　ヘリカルポリアセチレン
　　　■ ポリビニルカルバゾール類
　　　　　　光学材料 ／ エレクトロルミネッセンス材料 ／
　　　　　　モノリシックフォトリフラクティブ材料 ／
　　　　　　極性配向膜作製と絶対配向方向の決定 ／
　　　■ ポリアニリン
　　　　　　ポリアニリン薄膜の作製法 ／ 構造とスペクトル ／ 電気的性質 ／
　　　　　　電気化学機能
　　　■ ポリジアセチレン
　第３節　有機トランジスタ
　　　■ π共役低分子
　　　　　　π共役系材料 ／ π共役系材料を用いたトランジスタ ／
　　　　　　チオフェン系トランジスタ ／ 伝導機構を解明する試み ／
　　　　　　材料の構造と電気特性 ／
　　　　　　アセン系トランジスタと超伝導およびレーザ発振 ／ まとめと将来展望
　　　■ π共役高分子
　　　　　　動作原理 ／ 研究の現状
　　　■ デバイス評価・応用
　　　　　　その場電界効果測定による有機薄膜物性評価 ／
　　　　　　ドナー・アクセプタ分子積層構造トランジスタ ／
　　　　　　縦型有機トランジスタ ／ 複合型有機発光トランジスタ素子
　第４節　バイオデバイス
　　　■ 光電子機能DNA膜
　　　　　　機能材料としてのDNA ／ DNA膜の作製方法 ／
　　　　　　インターカレーションの方法 ／ 測定例 ／ DNAデバイス化の可能性
　　　■ DNAチップ
　　　　　　DNAチップとは ／ DNAチップによる遺伝子の発現解析 ／
　　　　　　DNAチップ・マイクロアレイから次世代DNAチップへ
　　　■ マイクロ化学デバイス
　　　　　　マイクロ化学デバイスの特徴 ／ マイクロ単位操作 ／
　　　　　　主なマイクロ化学デバイス
　　　■ 光デバイスとしてのバクテリオロドプシン
　　　　　　バクテリオロドプシンの構造と機能 ／
　　　　　　光デバイスへの応用配向が制御されたBR薄膜の作製と解析

第９章　カーボンナノストラクチャー
　第１節　構造と特徴
　　　　　　フラーレン ／ カーボンナノチューブ ／ カーボンナノホーン ／
　　　　　　ナノオニオン，バッキーオニオン ／ メソポアカーボン
　第２節　作製と分離・精製方法
　　　　　　フラーレンの生成法 ／ フラーレン分離法 ／
　　　　　　カーボンナノチューブの合成法 ／ カーボンナノチューブの精製法
　第３節　電界放出電子源とディスプレイ
　　　　　　CNTの構造 ／ 電界放出とCNTの特徴 ／
　　　　　　CNT膜の作製 ／ ディスプレイへの応用
　第４節　電子デバイス
　　　　　　エレクトロニクス材料としてのカーボンナノチューブ ／
　　　　　　カーボンナノチューブの合成 ／ 電界効果トランジスタ ／
　　　　　　LSI配線新機能デバイス
　第５節　カーボンナノチューブ等による水素吸蔵
　　　　　　水素貯蔵技術 ／ 多様なカーボンナノストラクチャー ／
　　　　　　カーボンナノチューブによる水素吸蔵 ／
　　　　　　グラファイトナノファイバーによる水素吸蔵 ／
　　　　　　その他のカーボンナノストラクチャーによる水素吸蔵 ／
　第６節　可溶化と生体・医薬への応用
　　　　　　ナノチューブの側面を化学修飾する ／
　　　　　　ナノチューブを切断して，末端を化学修飾する ／
　　　　　　ナノチューブが溶ける溶
　第７節　DLC膜
　　　　　　DLCの特徴・製法 ／ DLCの摩擦・摩耗特性 ／ DLCの用途開発 ／
　　　　　　高分子材料へのDLCコーティング技術

●キーワード索引
●略語索引
●化学式索引
●評価方法と評価対象一覧