| 目 次 |
|---|
| 第1章 表面分析の選び方 |
| 1 | 表面分析の出現と必要性の背景 |
| 2 | 何を知りたいのか |
| 3 | 表面分析法とは |
| 3.1 | 電子・イオン・Ｘ線の振る舞い |
| 3.1.1 | 電子の主な性質と振る舞い |
| 3.1.2 | イオンの主な性質と振る舞い |
| 3.1.3 | Ｘ線の主な性質と振る舞い |
| 3.1.4 | 光照射の現象 |
| 3.2 | 分析領域 |
| 3.2.1 | 主にナノレベル薄層・微小部分析の立場で見た《照射》電子・イオン・Ｘ線の性質 |
| 3.2.2 | 主にナノレベル微小部分析の立場で見た《信号》電子・イオン・Ｘ線の性質 |
| 4 | 各種表面分析法の比較と選択 |
| 4.1 | 幾つかの比較 |
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| 第2章 各種分析方法 |
| 第1節 | オージェ電子分光法（AES） |
| 1 | オージェ電子分光法の原理 |
| 2 | 装置構成 |
| 3 | 定性・定量分析 |
| 3.1 | 試料作成(取り扱い)方法 |
| 3.2 | 各種分析モード |
| 3.3 | データの読み方 |
| 4 | 測定困難なケース |
| 4.1 | 揮発性物質の測定 |
| 4.2 | 絶縁物の測定 |
| 4.3 | ピークが重複する元素 |
| 5 | 分析事例 |
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| 第2節 | 電子線マイクロアナリシス（EPMA） |
| 1 | EPMAの原理と装置構成 |
| 2 | 特性Ｘ線の発生 |
| 3 | Ｘ線の分光 |
| 4 | 波長分散分光法とエネルギー分散分光法の性能比較 |
| 5 | 測定手順
・試料調整 ・定性分析 ・定量分析 |
| 6 | EPMA分析に関する国際標準規格(ISO)制定について |
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| 第3節 | ラザフォード後方散乱法（RBS） |
| 1 | ラザフォード後方散乱法の原理 |
| 2 | ラザフォード後方散乱法の測定設備 |
| 3 | ＥＲＤＡとチャンネリングＲＢＳ |
| 4 | 測定例と限界 |
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| 第4節 | 粒子励起Ｘ線分光法（PIXE） |
| 1 | PIXEの原理 |
| 2 | PIXEによる定量分析 |
| 3 | PIXE分析装置 |
| 4 | PIXEの応用 |
| 5 | PIXEカメラ |
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| 第5節 | グロー放電発光分析法（GDS） |
| 1 | まえがき |
| 2 | グロー放電発光分光分析法(GD-OES) |
| 3 | GD-OESによる深さ方向定量分析
・概要 ・グロー放電発光分析法における定量化の原理
・放電源パラメータとマトリックス依存性 ・深さプロファイル
・GD-OESによる定量分析例 |
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| 第6節 | 蛍光Ｘ線分析法（XRF） |
| 1 | はじめに |
| 2 | 蛍光Ｘ線分析の原理 |
| 3 | 蛍光Ｘ線分析の一般的な特徴 |
| 4 | 蛍光Ｘ線分析装置の概要 |
| 5 | 定性分析 |
| 6 | 定量分析
・検量線法 ・FP法 |
| 7 | 表面分析を行う際の注意点 |
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| 第7節 | 二次イオン質量分析法について（SIMS） |
| 1 | SIMSの概要
・原理 ・SIMSの種類 |
| 2 | SIMS分析の特徴
・長所と短所 ・一次イオンの機能 ・光学設定モード |
| 3 | SIMSでどのような分析ができるのか
・高質量分解能を必要とする分析例 ・絶縁物分析 |
| 4 | SIMSデータの定量 |
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| 第8節 | 飛行時間型二次イオン質量分析法（TOF-SIMS） |
| 1 | はじめに |
| 2 | TOF-SIMSの原理とハードウェアー
・TOF-SIMS法の計測原理 ・TOF-SIMS装置ハードウェアーの概観 |
| 3 | TOF-SIMSの各種測定モード
・表面第一層の質量スペクトル ・ケミカルイメージングならびに深さ方向分析
・深さ方向分析 |
| 4 | まとめ |
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| 第9節 | 誘導結合高周波プラズマ発光分光分析法（ICP-OES） |
| 1 | はじめに |
| 2 | 原理と特長
・ICP発光分析法の原理 ・ICPの生成 ・プラズマのドーナツ構造 ・装置の概要 |
| 3 | 表面分析への適用
・ウェハー上の薄膜分析 ・レーザーアブレーション/ICP－OES |
| 4 | おわりに |
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| 第10節 | 走査電子顕微鏡（SEM） |
| 1 | はじめに |
| 2 | SEMの原理・構造 |
| 3 | SEMの特徴 |
| 4 | SEMの信号 |
| 5 | SEMのコントラスト |
| 6 | SEMの観察手順と注意点 |
| 7 | SEMデータから分かるもの |
| 8 | まとめ |
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| 第11節 | 透過型電子顕微鏡（TEM） |
| 1 | はじめに |
| 2 | TEMの原理と測定手法 |
| 3 | STEMの原理と測定手法 |
| 4 | EDSとEELSの原理 |
| 4.1 | EELSの原理
・EELSで検出される電子の種類
・EELSのスペクトロメータ及びイメージングフィルター
・EELSスペクトルから得られる情報 |
| 4.2 | EDSの原理 |
| 5 | EELSによる分析例 |
| 6 | EDSによる分析例 |
| 7 | おわりに |
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| 第12節 | 原子間力顕微鏡（AFM） |
| 1 | AFMの歴史 |
| 2 | AFMの原理
・カンチレバーについて ・接触式の原理 ・タッピング式の原理
・非接触式の原理 |
| 3 | 測定時の注意点
・探針の形状および大きさによる影響 ・試料表面の摩擦力による影響
・探針の磨耗による影響 ・帯電による影響 |
| 4 | 表面粗さ
・平均粗さ(Ra) ・十点平均粗さ(Rz) ・最大高さ(Ry) ・二乗平均粗さ(RMS) |
| 5 | まとめ |
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| 第13節 | X線回折法（XRD） |
| 1 | はじめに |
| 2 | X線の基礎
・X線の光学的性質 ・X線の発生 ・X線の吸収・散乱 |
| 3 | X線回折法
・結晶構造 ・X線回折 ・単結晶と多結晶 ・粉末X線回折装置
・試料前処理及び測定 |
| 4 | 粉末X線回折パターンからの情報
・定性分析 ・定量分析 ・格子定数の精密化 ・結晶子径/格子歪 ・極点図形
・残留応力 ・薄膜測定 ・薄膜応力の測定 ・結晶化度 ・高温・低温X線回折
・X線反射率測定 ・リートベルト法 |
| 5 | おわりに |
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| 第14節 | X線光電子分光法（ESCA XPS） |
| ・ XPS分析の特徴 |
| ・ 角度分解XPS |
| ・ イオンスパッタリング法 |
| ・ XPSでの微小領域測定・マッピングについて |
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| 第15節 | フーリエ変換赤外分光法（FT-IR） |
| 1 | 概要
・原理 ・特徴 ・検出能力 |
| 2 | 装置
・ハードウェア ・測定手順 ・スペクトルの横軸と縦軸について ・特性吸収帯 |
| 3 | 表面、深さ方向分析に適したアクセサリとその応用
・反射法（透過反射、外部反射）
・高感度反射法（IRRAS） － 金属板上の薄膜
・偏光変調高感度反射法（PM-IRRAS）
・全反射法（ATR） － 低反射基板表面の分析
・光音響分光法（PAS） ・顕微赤外法 |
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| 第16節 | ラマン分光法 |
| 1 | ラマン分光法の原理 |
| 2 | 装置構成 |
| 3 | 得られる情報 |
| 4 | 長所と短所 |
| 5 | 空間分解能 |
| 6 | 応用例
・ダイヤモンドライクカーボン（diamond-like carbon：DLC）のラマン
・歪みシリコン測定 |
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| 第3章 試料ごとの分析方法 |
| 第1節 | 金属・合金 |
| 1 | 冷延鋼板 |
| 1.1 | 鋼板の製造プロセスとSMS及びAESによる表面分析 |
| 1.2 | 鋼板表面偏析成分のXPSによる深さ方向の分析 |
| 2 | 亜鉛めっき鋼板の表面組成 |
| 3 | ティンフリースチールの水和酸化クロム層のXPSによる解析 |
| 4 | Kovar合金の湿分によるオキシ水酸化膜の角度分解法による定量 |
| 5 | スパッタリングによる金属酸化物の還元 |
| 6 | ステンレス鋼板の表面偏析と光輝焼鈍材の表面制御 |
| 7 | アルミニウムの表面組成と合金成分の表面偏析 |
| 8 | 合金めっき皮膜のGDSによる深さ方向分析とその信頼性 |
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| 第2節 | プラスチックフィルム表面のFT-IR分析手法 |
| 1 | ATR代替法・FT-IR分析とは |
| 1.1 | ATR法と対応不可試料 |
| 1.2 | ATR代替法について |
| 1.3 | 試料変換 |
| 1.3.1 | 転写 |
| 1.3.2 | 溶出 |
| 1.3.3 | 削取 |
| 2 | プラスチックフィルム表面分析の実際例 |
| 2.1 | ウレタン系塗膜の加熱転写・IR分析例 |
| 2.2 | フィラー入りアクリル系塗膜の溶解転写・IR分析例 |
| 2.3 | 粗面塗膜の溶出転写・IR分析例 |
| 2.4 | シリコーン系塗膜の圧着転写・IR分析例 |
| 2.5 | 小面積塗膜の溶出粒状化・IR分析例 |
| 2.6 | フィルム表面膜状物の削取・IR分析例 |
| 2.7 | 応急なサンプリングによる対応 |
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| 第3節 | ガラスおよびガラス基板を用いた薄膜の分析 |
| 1 | 表面分析装置による深さ方向組成分析 |
| 2 | X線回折法による深さ方向の結晶相解析技術 |
| 3 | まとめ |
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| 第4節 | セラミックス |
| 1 | セラミックスの表面分析 |
| 1.1 | SEM |
| 1.2 | AFM |
| 1.3 | FT-IRおよびラマン分光 |
| 1.4 | XPS 、SIMSおよびAES |
| 2 | セラミックスの深さ分析 |
| 2.1 | XPS、SIMSおよびAES(破壊分析) |
| 2.2 | RBS(非破壊分析) |
| 3 | セラミックスの断面TEM観察 |
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| 第5節 | カーボン |
| 1 | はじめに |
| 2 | ラマンスペクトル |
| 2.1 | 様々なカーボン材料のラマンスペクトル |
| 2.2 | カーボン材料の微細構造の評価 |
| 2.3 | 顕微ラマンを用いた深さ方向分析 －イオン注入した炭素繊維の分析－ |
| 2.4 | フラーレン、カーボンナノチューブ、カルビンのラマンスペクトル |
| 3 | 透過型電子顕微鏡（TEM）法を用いたカーボン材料の評価 |
| 3.1 | TEMの原理と特徴 |
| 3.2 | 分析電子顕微鏡（AEM）の原理と特徴 |
| 3.3 | TEM/AEMによるカーボン材料の評価例 |
| 4 | X線光電子分光法（XPS）による表面分析 |
| 4.1 | XPSによるカーボン材料の評価例 |
| 4.2 | さまざまなの物質のC1sピーク形状の比較 |
| 5 | おわり |
|
| 第6節 | 紙 |
| 1 | 走査型電子顕微鏡(SEM) |
| 2 | 電子線マイクロアナリシス(EPMA) |
| 3 | X線光電子分光法(XPS) |
| 3.1 | 広域スキャン測定 |
| 3.2 | 狭域スキャン測定 |
| 4 | 飛行時間型二次イオン質量分析法(TOF-SIMS) |
| 5 | 赤外全反射吸収法(ATR法) |
| 5.1 | 一回反射ATR法 |
| 5.2 | 顕微ATR法 |
| 5.3 | イメージングATR法 |
| 6 | ラマン分光法 |
| 7 | 走査プローブ顕微鏡(SPM) |
| 8 | 印刷物の断面分析 |
| 8.1 | インクジェット印刷用紙に浸透したインキの分布状態の観察 |
| 8.2 | EPMAによる用紙断面におけるインキ浸透の解析 |
|
| 第7節 | めっき |
| 1 | ウエットプロセスの特徴 |
| 2 | めっきへ利用される表面解析法の種類と特徴 |
| 3 | めっきへの表面・深さ方向分析の適用例 |
| 3.1 | Zn系ハイブリッドめっき皮膜 |
| 3.2 | 鉛フリーはんだめっき |
| 3.3 | Al合金への無電解Ni-Pめっき |
| 3.4 | マグネシウム合金への陽極酸化皮膜の分析 |
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| 第8節 | 薄膜における表面・深さ方向の分析方法 |
| 1 | 薄膜の分析評価を実施する前に |
| 2 | 薄膜の分析解析における障害 |
| 2.1 | 披検体量による問題 |
| 2.2 | 空間的スケールによる問題 |
| 2.3 | 構造的不均一による問題 |
| 2.4 | 表面・界面による問題 |
| 2.5 | 測定中の膜質変化による問題 |
| 2.6 | データ解析における問題 |
| 3 | 表面の分析 |
| 4 | 深さ方向の分析 |
| 4.1 | 断面試料作成法 |
| 4.2 | 断面試料による微視的構造の観察例 |
| 4.3 | 薄膜表面からのエッチングによる評価例 |
| 4.4 | 非破壊法による評価例 |
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| 第9節 | 粉体・微粒子 |
| 1 | 粉体の充填性、流動性、付着性 |
| 1.1 | 充填性（圧縮度） |
| 1.2 | 安息角 |
| 1.3 | スパチュラ角 |
| 1.4 | 凝集度 |
| 1.5 | 崩潰角と差角 |
| 1.6 | 分散度 |
| 1.7 | 引張り破断 |
| 2 | 粒子内部構造（深さ方向）評価 |
| 2.1 | 試料作製法と電子顕微鏡観察 |
| 2.2 | 超薄切片法とTEM観察 |
| 2.3 | イオンビーム加工とSEM、TEM観察 |
|
| 第10節 | フィラー |
| 1 | 最近におけるフィラーの動向 |
| 2 | フィラーの物理的特性評価 |
| 2.1 | フィラーの粒径 |
| 2.2 | フィラー表面の凹凸状態 |
| 2.3 | フィラー表面の接触角 |
| 2.4 | フィラー表面の表面張力 |
| 2.5 | フィラー懸濁液の沈降体積 |
| 2.6 | ζ－電位 |
| 2.7 | フィラーの湿潤熱 |
| 3 | フィラーの化学的特性評価 |
| 3.1 | 電位差滴定法 |
| 3.2 | フィラー表面の塩基性成分 |
| 3.3 | フィラーに含まれる金属不純物 |
| 3.4 | フィラーの固体酸性度 |
| 4 | フィラー表面の水の影響 |
| 4.1 | 昇温脱離法 |
| 4.2 | Grignard試薬法 |
| 4.3 | シラン法 |
| 4.4 | リチウムアルミニウムハイドライド法 |
| 4.5 | フィラー表面への固着手法 |
| 5 | フィラーの分散性評価 |
| 5.1 | 顕微鏡法 |
| 5.2 | X線マイクロアナライザーによる粒子の分散状態 |
| 5.3 | マイクロフォーカスX線ＣＴ装置 |
| 5.4 | マイクロフォーカスX線透視装置 |
| 5.5 | 超音波法 |
| 5.6 | 走査型プローブ顕微鏡 |
|
| 第11節 | トナー |
| 1 | 表面の元素分析、化学構造分析の手法 |
| 2 | XPS、TOF-SIMS、FT-IR-ATRを用いた分析事例 |
| 2.1 | XPSによるトナー粒子表面の分析 |
| 2.2 | FT-IR-ATRによる印刷物表面の分析 |
| 2.3 | TOFSIMS、XPS、およびFT-IR-ATRによる、感光ドラム上付着トナーの分析 |
| 3 | 表面の形態観察、元素分析の手法 |
| 3.1 | トナーおよび印刷紙の評価に用いる各種顕微鏡 |
| 3.2 | トナー粒子の顕微鏡観察 |
| 3.3 | 印刷紙の顕微鏡観察 |
|
| 第12節 | 塗料 |
| 1 | はじめに |
| 2 | 表面方向からの分析 |
| 2.1 | 表面で発現する機能に関する解析 |
| 2.2 | 薄膜の状態に関する解析 |
| 2.3 | 欠陥部位の同定に関する解析 |
| 3 | 断面方向からの分析 |
| 3.1 | 塗膜外観に関する解析 |
| 3.2 | 塗膜構成成分のモルフォロジーに関する解析 |
| 4 | おわりに |
|
| 第13節 | 接着に関わる分析 |
| 1 | はじめに |
| 2 | 接着部の設計と接着不良 |
| 2.1 | 接着剤選択の際の注意点 |
| 2.2 | 接着部の設計、接着剤の使い方 |
| 2.3 | 接着の工程 |
| 2.4 | 接着不良 |
| 3 | 接着における分析・解析 |
| 3.1 | 接着における分析・評価法 |
| 3.2 | 接着剤の分析 |
| 3.3 | 接着層における表面偏析 |
| 3.4 | 接着表面界面の分析 |
| 3.5 | 接着断面の分析 |
| 4 | 接着関連の不良解析例 |
|
| 第14節 | レジスト |
| 1 | スピンコート法によるレジスト膜形成 |
| 2 | レジスト膜形成に伴う表面硬化層の解析 |
| 3 | 微細パターンの接着力とヤング率測定 |
| 4 | シランカップリング処理によるレジストパターンの接着性 |
| 5 | レジストパターンと基板界面に形成された微細空孔 (vacancy) |
|
| 第15節 | 半導体基板 |
| 1 | はじめに |
| 2 | 外観・形状 |
| 3 | 不純物 |
| 3.1 | ドーパント不純物 |
| 3.2 | 金属不純物 |
| 3.3 | その他の不純物 |
| 4 | 基板上の異物（パーティクル） |
| 5 | 結晶欠陥 |
| 6 | 先端機能性基板の分析 |
| 7 | 今後の課題 |
|
| 第16節 | 半導体デバイスおよびLSI |
| 1 | はじめに |
| 2 | 最先端LSIデバイスの研究開発における表面分析技術の役割 |
| 2.1 | 概論 |
| 2.2 | シャロージャンクションの分析 |
| 2.2.1 | 二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）によるシャロージャンクションの評価 |
| 2.2.2 | 中エネルギーイオン散乱（MEIS）によるシャロージャンクションの評価 |
| 2.3 | 極薄ゲート絶縁膜の評価分析 |
| 2.3.1 | SiON絶縁膜の深さ方向の結合状態評価 |
| 2.3.2 | High-k絶縁膜のバンドアライメント評価 |
| 3 | 製造プロセスのエラーに起因する不良解析 |
| 4 | おわりに |
|
| 第17節 | 触媒 |
| 1 | 構造 |
| 1.1 | 透過電子顕微鏡(TEM), 走査電子顕微鏡(SEM) |
| 1.2 | X線回折(XRD) |
| 2 | 組成・電子状態 |
| 2.1 | X線光電子分光(XPS) |
| 2.2 | 紫外可視分光(UV-VIS) |
| 3 | 反応性 |
| 3.1 | 赤外吸収分光(IR) |
| 3.2 | ラマン分光 |
| 4 | 局所構造 |
| 4.1 | X線吸収微細構造(XAFS) |
| 4.2 | 走査トンネル顕微鏡(STM)・原子間力顕微鏡(AFM) |
|
| 第18節 | 電池材料（MEA） |
| 1 | MEAの高分解能EPMA分析 |
| 1.1 | 高分解能電子線マイクロアナライザ（FE-EPMA）について |
| 1.2 | FE-EPMAによるMEA断面構造解析例 |
| 2 | X線顕微鏡による内部構造観察 |
| 2.1 | X線マイクロCTの原理およびMEA立体内部構造観察例 |
| 2.2 | 放射光によるX線イメージング（屈折コントラストによる観察） |
|
| 第19節 | 表面分析法を用いた記憶媒体の測定事例
― 磁気ディスクドライブを中心に ― |
| 1 | はじめに |
| 2 | 磁気ディスク最表面の潤滑膜の評価 |
| 2.1 | 潤滑膜厚の評価 |
| 2.2 | 潤滑剤の種類の判定 |
| 2.3 | 潤滑剤の分子量などの推定 |
| 2.4 | 潤滑膜中の添加剤評価 |
| 3 | ディスク表面の保護膜評価 |
| 4 | 深さ方向分析を用いた磁性膜評価 |
| 5 | 磁気ディスクヘッド表面の評価 |
| 5.1 | ヘッド保護膜の磨耗評価 |
| 5.2 | ヘッド表面を中心とした汚染評価 |
| 6 | まとめ |
|
| 第20節 | 皮革 |
| 1 | 加脂剤の分子サイズとコラーゲン構造 |
| 2 | 加脂革のXPS測定 |
| 2.1 | 革試料と前処理方法 |
| 2.2 | MAPとクロム革との結合性 |
| 2.3 | MAP加脂革表面の化学組成 |
| 2.4 | MAP分子の革表面における配向 |
| 2.4.1 | 角度依存性と深さ方向の元素組成 |
| 2.4.2 | 測定深さとアルキル鎖配向 |
| 3 | MAP結合と種々の機能性との関係 |
| 3.1 | MAP結合模式図 |
| 3.2 | 動的耐水性 |
| 3.3 | 透湿性、吸湿性および吸水性 |
| 3.4 | 繊維の疎水化と柔軟性の関係 |
|
| 第21節 | 木材 |
| 1 | 木材の細胞壁構造と表面 |
| 1.1 | 木材の成分と細胞壁構造 |
| 1.2 | 木材の3断面と内部の表面 |
| 2 | 細胞壁内部の分析 |
| 2.1 | 細胞壁の層構造を区別するための試料調製法 |
| 2.2 | 分析例 |
| 3 | 木材の表面および深さ分析 |
| 3.1 | 組織構造の影響 |
| 3.2 | 木材表面の分析例 |
| 3.3 | 木材表層の深さ分析例 |
|
| 第22節 | 有害物質 |
| 1 | はじめに |
| 2 | グリーン調達における有害物質の分析 |
| 2.1 | RoHS関連 |
| 2.2 | ELV関連 |
| 3 | IECによるRoHS試験法の標準化 |
| 4 | 蛍光X線分析による各種試料のスクリーニング分析 |
| 4.1 | 樹脂 |
| 4.2 | 金属 |
| 4.3 | 鉛フリーはんだ |
| 4.4 | めっきなどの薄膜試料 |
| 5 | 精密化学分析法 |
| 5.1 | Pb,Cdの分析方法 |
| 5.1.1 | 高分子材料 |
| 5.1.2 | 金属 |
| 5.1.3 | 電子材料 |
| 5.2 | 水銀の分析方法 |
| 5.3 | ６価クロムの分析方法 |
| 5.4 | 特定臭素系難燃剤の分析方法 |
| 6 | おわりに |
|
| 第4章 目的別分析方法 |
| 第1節 | 汚れ分析 |
| 1 | 有機汚れの分析 |
| 2 | 残存無機（金属、イオン）汚れの定量法 |
|
| 第2節 | 洗浄効果の評価技術 |
| 1 | はじめに |
| 2 | 洗浄の評価技術の概要 |
| 3 | 洗浄後の表面を観察して評価する方法 |
| 3.1 | 秤量法 |
| 3.2 | 水に対するぬれの状態から評価する方法 |
| 3.3 | 表面の化学反応を利用する方法 |
| 3.4 | 物理的な方法による評価 |
| 3.4.1 | 光を入射プローブとする方法 |
| 3.4.2 | 電子を入射プローブとする方法 |
| 3.4.3 | イオンを入射プローブとする方法 |
| 4 | 洗浄後の表面に残っている汚れを洗い出し、洗い出された汚れを計測する方法 |
| 5 | おわりに |
|
| 第3節 | ぬれ性評価 |
| 1 | はじめに |
| 2 | ぬれ性と接触角 |
| 3 | 種々の接触角 |
| 3.1 | 静的接触角 |
| 3.2 | 動的接触角 |
| 4 | 基本原理と解析手法 |
| 4.1 | 液滴法 |
| 4.2 | 拡張収縮法 |
| 4.3 | 転落法（滑落法） |
| 4.4 | V-r法 |
| 4.5 | その他 |
| 5 | 接触角測定の特徴 |
| 6 | 適用分野 |
| 7 | 測定上の注意点・問題点 |
| 8 | おわりに |
|
| 第4節 | 深さ方向分析 |
| 1 | 深さ方向分析の分類 |
| 2 | 界面分解能の評価、表面あれの低減、スパッタリング速度の測定 |
| 3 | 非破壊深さ方向分析 |
| 4 | 損傷を低減した深さ方向分析 |
|
| 第5節 | 不純物深さ方向分析 |
| 1 | はじめに |
| 2 | Si半導体材料中のドーパント深さ方向測定 |
| 3 | SiC材料中の不純物分析 |
| 4 | 極浅表面の不純物分析と趙薄膜の測定 |
| 5 | 化合物半導体膜中の不純物分析 |
| 6 | TOF-SIMS分析による半導体表面の汚染 |
| 7 | 電子材料以外の材料へのTOF-SIMS分析応用例 |
| 8 | おわりに |
|
| 第6節 | 異物分析 |
| 1 | 異物の分析手法 |
| 2 | 異物試料の前処理 |
| 2.1 | マイクロマニピュレーター |
| 2.2 | マイクロミクロトーム |
| 2.3 | 異物の埋込みと研磨 |
| 3 | 異物分析のデータ例 |
| 3.1 | 顕微赤外分光法による分析データ例 |
| 3.2 | 電子線マイクロアナリシス法による分析データ例 |
| 3.3 | 異物の観察例 |
|
| 第7節 | 劣化評価 |
| 1 | 飛行時間型２次イオン質量分析計（TOF-SIMS） |
| 1.1 | TOF-SIMSとは |
| 1.2 | 応用例 －PETフィルム表面のオリゴマー分布分析－ |
| 2 | X線光電子分光法（XPS） |
| 2.1 | XPSとは |
| 2.2 | C60+イオンエッチングの特徴 |
| 2.3 | 応用例 －C60+イオンエッチングを用いたポリアクリル酸の分析－ |
| 3 | フーリエ変換赤外分光法（FT-IR） |
| 3.1 | FT-IRとは |
| 3.2 | 全反射吸収法（ATR）の原理 |
| 3.3 | 深さ方向分析 |
| 3.4 | 応用例 －ポリカーボネートの光劣化の解析－ |
| 3.5 | 応用例 －ポリイミド上の銅配線界面の分析－ |
| 4 | ラマン分光法 |
| 4.1 | ラマン分光法とは |
| 4.2 | 応用例 －近赤外顕微ラマン分光法による天然ゴムの劣化解析－ |
|
| 第8節 | 耐食性評価 |
| 1 | 鋼板の塗装耐食性と表面の制御因子 |
| 1.1 | リン酸塩化成処理と塗装耐食性 |
| 1.2 | リン酸塩皮膜構造と皮膜形成の支配因子 |
| 2 | 亜鉛めっき鋼板の表面組成と耐食性 |
| 2.1 | 亜鉛めっき鋼板の接着耐久性と粒界腐食 |
| 2.2 | 亜鉛めっき鋼板のリン酸塩処理 |
| 2.3 | クロメート処理 |
| 2.4 | ノンクロメート処理 |
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| 第9節 | 比表面積と細孔分布測定 |
| 1 | ガス吸着法 |
| 1.1 | 吸脱着等温線 |
| 1.2 | ヒステリシス |
| 1.3 | 測定手法と前処理 |
| 1.3.1 | 容量法 |
| 1.3.2 | 重量法 |
| 1.3.3 | 流動法 |
| 1.3.4 | 前処理（脱ガス処理） |
| 1.4 | 吸着等温線の解析方法－比表面積、細孔分布の計算 |
| 1.4.1 | BET法－代表的な比表面積計算法 |
| 1.4.2 | ｔプロットとMP法－実験式に基づくマイクロポア評価法 |
| 1.4.3 | Horvath-Kawazoe法（HK法）他－マイクロポア分布解析法 |
| 1.4.4 | マイクロポア分布解析法の使い分けと制約 |
| 1.4.5 | 毛管凝縮現象を利用する方法－メソポア、マクロポアの解析方法 |
| 1.4.6 | ＤＦＴ法（Density Functional Theory） |
| 2 | 水銀圧入法 |
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| 第10節 | 摩擦の評価 |
| 1 | Fe-Cr-Cu粉末焼結材料の500℃での摩擦面の分析 |
| 1.1 | 摩擦試験と分析の目的 |
| 1.2 | 分析機器の選択 |
| 1.3 | 分析手順 |
| 1.4 | 分析結果および結果から分かること |
| 1.5 | FE-AESによる摩耗粉の分析 |
| 2 | 二硫化モリブデンで潤滑した摩擦面の分析 |
| 2.1 | 摩擦試験と分析の目的 |
| 2.2 | 分析機器の選択 |
| 2.3 | 分析手順 |
| 2.4 | 分析結果および結果から分かること |
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