| 執筆者一覧 |
|---|
| 坂本正典 | 東京理科大学大学院 総合科学技術経営研究科 教授 |
| 高田清司 | 元 信越化学工業(株)(信越半導体)、元 スーパーシリコン研究所 |
| 泉妻宏治 | 東芝セラミックス(株) シリコン事業部 技術統括部 プロセス技術部 グループ長 |
| 川瀬智博 | 住友電気工業(株) 研究開発本部 半導体技術研究所 基板技術研究部 グループ長(化合物半導体結晶成長技術スペシャリスト) |
| 松井正好 | 住友金属鉱山(株) 電子事業本部 結晶材料部 部長 |
| 林利彦 | (株)シクスオン |
| 古庄智明 | (株)シクスオン |
| 西口太郎 | (株)シクスオン |
| 木下博之 | (株)シクスオン |
| 塩見弘 | (株)シクスオン |
| 入間田修一 | 日鉱金属(株) 電子材料カンパニー 磯原工場 新素材開発センター 主任技師 |
| 矢島明政 | (株)ADEKA 電子材料開発研究所 所長 |
| 稲石美明 | 大陽日酸(株) 電子機材事業本部 事業戦略推進部 先端技術開発部 |
| 鈴木智 | 大陽日酸(株) 事業戦略推進部 |
| 安部司 | 大日本印刷(株) 電子デバイス事業部 電子デバイス研究所 エキスパート |
| 流川治 | HOYA(株) 先端リソグラフィー開発センター センター長 |
| 大森克実 | 東京応化工業(株) 開発本部 先端材料開発一部 半導体液浸レジスト材料グループ グループリーダー |
| 西山文之 | 富士写真フイルム(株) R&D統括本部 エレクトロニクスマテリアルズ研究所 主任研究員 |
| 山田達也 | 長瀬産業(株) 電子化学品事業部 ファインプロセステクノロジー部 開発チーム 半導体プロジェクトリーダー |
| 守田菊恵 | 関東化学(株) 電子材料事業本部 技術部 EL薬品グループ 開発課 |
| 石川誠 | 三菱化学(株) EL薬品事業部 半導体材料研究所 研究所長 |
| 深江功也 | 関東電化工業(株) 新製品開発本部 渋川研究所 副主任研究員 |
| 能條治輝 | ニッタ・ハース(株) 技術開発本部 製品技術部 スラリー技術課 マネージャー |
| 神谷紀一郎 | ATMIジャパン(株) 代表取締役社長 |
| 森崎貞和 | ニッタ・ハース(株) 技術開発本部 生産技術部 三重製造技術課 課長代理 |
| 木下正治 | ニッタ・ハース(株) 取締役シニアバイスプレジデント |
| 木下俊哉 | 新日本製鐵(株)(現 新日鉄マテリアルズ(株)) 接合商品部 グループリーダー |
| 森清人 | 関東化学(株) 電子材料事業本部 技術部 部長 |
| 望月英章 | 三菱化学(株) EL薬品事業部 半導体材料研究所 チームリーダー |
| 床嶋裕人 | 栗田工業(株) プラント第一事業本部 技術部 技術二課 |
| 今岡孝之 | オルガノ(株) 経営企画部 次長 |
| 池田謙一 | 日立化成工業(株) 下館事業所 電子材料事業部 配線板材料部門 開発部 主任研究員 |
| 近藤至徳 | 三菱ガス化学(株) 東京研究所 主席研究員 |
| 坂田賢 | 三井金属鉱業(株) MC事業本部 マイクロサーキット事業部 製品開発部 主査 |
| 木越将次 | 東レ(株) 電子情報材料技術部 部長 |
| 野村幸矢 | (株)神戸製鋼所 アルミ・銅カンパニー 長府製造所 銅板研究室 主任研究員 |
| 堀晋一郎 | 大日本印刷(株) 電子デバイス事業部 製造第2本部 技術部 |
| 富川真佐夫 | 東レ(株) 電子情報材料研究所 主任研究員 |
| 石渡伸一 | 古河電気工業(株) エネルギー・産業機材カンパニー 産業機材事業部 AT製品部 開発部 開発部長 |
| 宇野智裕 | 新日本製鐵(株) 先端技術研究所 新材料研究部 主幹研究員 |
| 山田隆 | (株)日鉄マイクロメタル ボンディングワイヤ技術開発センター 部長 |
| 荒木省一 | (株)日鉄マイクロメタル マイクロボール部 取締役 マイクロボール部長 |
| 伊達正芳 | 日立金属(株) 冶金研究所 研究員 |
| 佐藤光司 | 日立金属(株) 安来工場 新素材工場 SBグループ グループ長 |
| 野村英一 | ナガセケムテックス(株) 電子材料部 ME材料課 課長 |
| 内田健 | 京セラケミカル(株) 電子デバイス材料技術部 責任者 |
| 構成および内容 |
|---|
| 序論 （坂本正典） |
| 1 | はじめに |
| 2 | 日本の半導体産業とプロセス材料・ケミカルス |
| 3 | 前工程のプロセス材料とケミカルス |
| 4 | 後工程のプロセス材料とケミカルス |
| 5 | 今後の展望 |
|
| 第1編 前工程 |
 |
| 第1章 | ウェーハ基板 |
| 1 | 大口径シリコンウェーハ――次世代シリコンウェーハに求められる技術課題のポイント――（高田清司） |
| 1.1 | はじめに |
| 1.2 | 結晶の完全性 |
| 1.2.1 | デバイス歩留まり低下の原因は? |
| 1.2.2 | 欠陥発生のメカニズムは何か? |
| 1.2.3 | 欠陥の少ないウェーハ形成の他の手段は? |
| 1.3 | 平坦度 |
| 1.3.1 | ウェーハの平坦度の加工手段はどのように変遷してきたか? |
| 1.3.2 | 研削加工技術に期待をかける理由は何か? |
| 1.3.3 | 延性モード研削は可能か? |
| 1.4 | 清浄度 |
| 1.4.1 | RCA洗浄法の問題は何か? |
| 1.4.2 | 機能水を用いた枚葉処理のスピン洗浄に落ち着くか? |
| 1.5 | 大口径化――次世代ウェーハ（口径400mm〜450mm）の技術的可能性は？ |
| 1.6 | おわりに |
| 2 | シリコンウェーハの表面高品質化技術（泉妻宏治） |
| 2.1 | はじめに |
| 2.2 | 超平坦化技術 |
| 2.3 | アニール技術 |
| 2.4 | 洗浄プロセス |
| 2.5 | 結論 |
| 3 | 化合物半導体GaAs（川瀬智博） |
| 3.1 | はじめに |
| 3.2 | プロセスの概要 |
| 3.3 | GaAsの特性 |
| 3.4 | 原料合成 |
| 3.5 | 単結晶成長 |
| 3.6 | 熱処理 |
| 3.7 | ウエハー加工および洗浄 |
| 4 | 化合物半導体GaP（松井正好） |
| 4.1 | はじめに |
| 4.2 | GaP基板の製造 |
| 4.3 | 従来LED用基板 |
| 4.3.1 | GaP赤色LED |
| 4.3.2 | GaP黄緑色、緑色LED |
| 4.3.3 | GaP純緑色LED |
| 4.3.4 | GaAsP赤色、橙色LED |
| 4.4 | 高輝度LED用基板 |
| 4.4.1 | AｌGaInP赤色、橙色、緑色LED |
| 4.5 | まとめ |
| 5 | 化合物半導体 SiC（林利彦、古庄智明、西口太郎、木下博之、塩見弘） |
| 5.1 | はじめに |
| 5.2 | 高品質基板の開発 |
| 5.3 | 半絶縁性基板の開発 |
| 5.4 | エピタキシャル基板の開発 |
| 5.5 | まとめ |
|
| 第2章 | 成膜・配線形成材料 |
| 1 | ターゲット材（入間田修一） |
| 1.1 | はじめに |
| 1.2 | ターゲットの純度 |
| 1.3 | パーティクルの低減 |
| 1.4 | ハイパワースパッタ対応 |
| 1.5 | ターゲットの大口径化と異形状ターゲットへの対応 |
| 1.6 | 先端プロセス用ターゲット |
| 1.6.1 | Cu、Taターゲット |
| 1.6.2 | Ni、Ni合金ターゲット |
| 1.6.3 | Wターゲット |
| 1.6.4 | Hf、Zrターゲット |
| 1.7 | おわりに |
| 2 | CVD・ALD用成膜材料（矢島明政） |
| 2.1 | 概要 |
| 2.2 | High-k材料 |
| 2.3 | low-k材料 |
| 3 | CVD材料・ガス（稲石美明） |
| 3.1 | はじめに |
| 3.2 | CVD成膜法 |
| 3.3 | CVD成膜用材料ガス |
| 3.3.1 | 熱CVD用材料ガス |
| 3.3.2 | PE（Plasma-Enhanced）CVD用材料ガス |
| 3.3.3 | MOCVD用材料ガス |
| 3.3.4 | ALD用材料ガス |
| 3.4 | CVD用材料ガスの危険性と法的規制 |
| 3.5 | クリーニングガス |
| 3.6 | おわりに |
| 4 | イオンドーピングガス（鈴木智） |
| 4.1 | はじめに |
| 4.2 | SDSの原理と特徴 |
| 4.3 | SDSの安全性について |
| 4.4 | SDSの経済性について |
| 4.5 | 今後の展望 |
|
| 第3章 | フォトマスク |
| 1 | 超解像用フォトマスク（安部司） |
| 1.1 | はじめに |
| 1.2 | 位相シフトマスク |
| 1.3 | EUVマスク |
| 1.3.1 | EUVマスクの特徴 |
| 1.3.2 | 吸収層、バッファ層のパターンニング技術 |
| 1.3.3 | 吸収層のパターン欠陥修正技術 |
| 1.4 | おわりに |
| 2 | 次世代リソグラフィー用マスク（流川治） |
| 2.1 | はじめに |
| 2.2 | 電子ビーム露光用マスク |
| 2.3 | 縮小X線露光用マスク |
| 2.4 | ナノインプリント用マスク |
| 2.5 | おわりに |
|
| 第4章 | リソグラフィー材料・ケミカルス |
| 1 | 液浸リソグラフィー用材料（大森克実） |
| 1.1 | はじめに |
| 1.2 | 液浸リソグラフィープロセスでの問題点とその特徴 |
| 1.3 | 液浸用保護膜 |
| 1.4 | 液浸用レジスト |
| 1.5 | まとめ |
| 2 | フォトレジスト材料に求められる技術開発（西山文之） |
| 2.1 | はじめに |
| 2.2 | ポジ型レジストの性能ポテンシャル向上技術整理―従来知見― |
| 2.3 | 「画像形成（溶解コントラスト発現）メカニズム」 |
| 2.4 | インヒビション向上施策 |
| 2.4.1 | 「ホスト-ゲストモデル」 |
| 2.4.2 | 「蛸壺モデル」 |
| 2.4.3 | 「タンデムノボラック樹脂」と「石垣モデル」 |
| 2.4.4 | 「選択溶解モデル」 |
| 2.4.5 | 「選択エステル感光剤」-NQD感光剤分子構造の最適化- |
| 2.5 | 「NQD感光剤のCEL効果」 |
| 2.6 | 「ポジ型化学増幅レジスト」―KrFエキシマレーザー用― |
| 2.6.1 | ポジ型化学増幅レジスト構成成分 |
| 2.6.2 | 「光酸発生剤」 |
| 2.6.3 | 「KrF2成分レジスト用酸分解性樹脂」 |
| 2.6.4 | 「塩基性化合物」 |
| 2.7 | 「ポジ型化学増幅型レジスト」―ArFエキシマレーザー用― |
| 2.7.1 | 「ArF2成分レジスト用酸分解性樹脂」-ドライエッチング耐性と透明性の両立化- |
| 2.8 | LWR性能の新規解析手法について |
| 2.9 | ArFレジストのLWR性能改良について |
| 2.10 | おわりに |
| 3 | 厚膜および特殊用途向けフォトレジストについて(山田達也) |
| 3.1 | はじめに |
| 3.2 | フォトレジストの厚膜化が困難である理由について |
| 3.3 | 厚膜レジストを高機能化するための感光剤の改善内容について |
| 3.4 | 高解像／高耐熱厚膜ポジ型フォトレジストNPR9800シリーズ |
| 3.5 | 逆テーパー形状ポジ型フォトレジストNPR9700シリーズ、NPR9500Lシリーズ（2層） |
| 3.6 | Low-γ型フォトレジスト（3D加工用フォトレジスト） |
| 3.7 | おわりに |
|
| 第5章 | エッチング液・ガス |
| 1 | 半導体製造プロセスにおけるエッチング液(守田菊恵) |
| 1.1 | はじめに |
| 1.2 | 汎用エッチング液 |
| 1.2.1 | Siエッチング液 |
| 1.2.2 | SiNエッチング液 |
| 1.3 | 機能性エッチング液 |
| 1.3.1 | High-k選択エッチング液 |
| 1.3.2 | Ruエッチング液 |
| 1.3.3 | Auエッチング液 |
| 1.4 | おわりに |
| 2 | エッチング液（ウェットエッチング）〜三菱化学(石川誠) |
| 2.1 | はじめに |
| 2.2 | ウェットエッチング液の一般的特徴 |
| 2.3 | ウェットエッチング液での反応速度の考え方 |
| 2.4 | ウェットエッチングにて起こる電蝕（ウェットエッチングのガルバニック効果） |
| 2.5 | 高機能を付加させた三菱化学のウェットエッチング液（異種金属積層膜での電蝕防止） |
| 2.5.1 | Au配線とCr、Ni/Cr下地膜との積層系、またはTi、W（Ti）下地膜との積層系 |
| 2.5.2 | Cu配線とMo下地膜との積層系、またはTi、W（Ti）下地膜との積層系 |
| 2.5.3 | Au/Pd配線とTi下地膜との積層系 |
| 2.6 | おわりに |
| 3 | エッチングガス(深江功也) |
| 3.1 | はじめに |
| 3.2 | シリコンデバイスの加工 |
| 3.3 | 酸化膜微細エッチングガス |
|
| 第6章 | CMP研磨材料 |
| 1 | CMP研磨剤(能條治輝) |
| 1.1 | はじめに |
| 1.2 | ILD/PMD（Pre-Metal Dielectric）-CMP用スラリーの展望 |
| 1.3 | STI-CMP用スラリーの展望 |
| 1.4 | Cu-CMP用、バリア-CMP用スラリーの展望 |
| 1.5 | おわりに |
| 2 | CMPスラリー〜ATMI社（神谷紀一郎） |
| 3 | CMP研磨パッドの材料技術とその展望 (森崎貞和、木下正治) |
| 3.1 | はじめに |
| 3.2 | 研磨パッドの構造分類 |
| 3.3 | 研磨パッドへの要求性能 |
| 3.4 | 研磨パッドの性能における制御因子 |
| 3.5 | CMP研磨パッド表面の化学組成からのアプローチ |
| 3.6 | CMP研磨パッドの概念と課題 |
| 3.7 | CMP研磨パッドの現状と今後の展望 |
| 4 | CMPパッドコンディショナー(木下俊哉) |
| 4.1 | CMPパッドのコンディショニング |
| 4.2 | コンディショニング方法 |
| 4.3 | マクロスクラッチ |
| 4.4 | 金属汚染 |
| 4.5 | カットレートと研磨特性 |
| 4.6 | まとめ |
|
| 第7章 | 洗浄剤 |
| 1 | 洗浄液(森清人) |
| 1.1 | はじめに |
| 1.2 | FEOL、BEOLの各種洗浄剤 |
| 1.2.1 | FEOL洗浄 |
| 1.2.2 | BEOL洗浄 |
| 1.3 | おわりに |
| 2 | 高機能洗浄剤〜三菱化学(望月英章) |
| 2.1 | はじめに |
| 2.2 | 微量汚染の吸着・脱離機構 |
| 2.2.1 | 汚染の脱離 |
| 2.2.2 | 汚染の再付着防止 |
| 2.2.3 | 下地膜のエッチング |
| 2.3 | 最新ウェット洗浄技術 |
| 2.3.1 | RCA代替洗浄（高清浄化と低コスト化の両立） |
| 2.3.2 | 枚葉化対応 |
| 2.3.3 | 新材料対応 |
| 2.4 | おわりに |
| 3 | 銅配線用CMP後洗浄剤〜ATMI社(神谷紀一郎) |
| 3.1 | はじめに |
| 3.2 | 洗浄対象とメカニズム |
| 3.2.1 | 有機残渣 |
| 3.2.2 | パーティクル |
| 3.2.3 | 金属イオン |
| 3.3 | 洗浄時に起こる課題と対策 |
| 3.3.1 | ウォーターマーク |
| 3.3.2 | 層間絶縁膜へのダメージ |
| 3.3.3 | 銅の腐食 |
| 4 | 超純水・機能水(床嶋裕人) |
| 4.1 | はじめに |
| 4.2 | 超純水 |
| 4.2.1 | 前処理システム |
| 4.2.2 | 一次純水システム |
| 4.2.3 | サブシステム |
| 4.2.4 | 水質評価技術 |
| 4.2.5 | 排水回収システム |
| 4.3 | 機能水 |
| 4.3.1 | 水素水 |
| 4.3.2 | オゾン水 |
| 4.4 | おわりに |
| 5 | 洗浄用機能水(今岡孝之) |
| 5.1 | はじめに |
| 5.2 | 洗浄プロセスにおける機能水の利用とその効果 |
| 5.2.1 | ウルトラクリーンな表面と汚染除去メカニズム |
| 5.2.2 | 機能水洗浄 |
| 5.3 | 省液・省スペースを実現する洗浄ノズルとその効果 |
| 5.4 | まとめ |
|
| 第2編 後工程 |
|
| 第8章 | 実装基板 |
| 1 | エポキシ樹脂銅張積層板(池田謙一) |
| 1.1 | 市場動向 |
| 1.2 | エポキシ樹脂銅張積層板 |
| 1.3 | エポキシ樹脂 |
| 1.4 | 硬化剤ほか |
| 1.5 | ガラス布 |
| 1.6 | 銅箔 |
| 1.7 | CAF特性 |
| 1.8 | 高Tg高弾性低熱膨張多層材料 |
| 1.9 | まとめ |
| 2 | BTレジン銅張積層板 (近藤至徳) |
| 2.1 | BTレジンとは |
| 2.2 | BTレジンの製法 |
| 2.3 | BTレジン銅張積層板 |
| 2.4 | パッケージ材料用BTレジン銅張積層板（CCL-HL830、CCL-HL832、CCL-HL832HS） |
| 2.5 | ハロゲンフリーBTレジン銅張積層板（CCL-HL832NX） |
| 2.6 | その他のBTレジン銅張積層板 |
| 2.7 | おわりに |
| 3 | TABテープ（TCP、COF）(坂田賢) |
| 3.1 | はじめに |
| 3.2 | TABテープの特徴 |
| 3.2.1 | ギャングボンディング |
| 3.2.2 | 薄型、小型パッケージ |
| 3.2.3 | Reel to Reel |
| 3.3 | 用途 |
| 3.4 | 材料と構造 |
| 3.4.1 | TCPテープ（3層TAB） |
| 3.4.2 | COFテープ |
| 3.5 | 工程 |
| 3.6 | 品質項目 |
| 3.7 | 課題 |
| 4 | TAB用接着テープ(木越将次) |
| 4.1 | はじめに |
| 4.2 | TAB用接着テープの特徴 |
| 4.3 | TAB用接着テープの用途と要求特性 |
| 4.3.1 | TCPパッケージへの適用 |
| 4.3.2 | BGA/CSPパッケージへの適用 |
| 4.4 | 東レTAB用接着テープの特徴 |
| 4.4.1 | ベースフィルムおよび生産技術 |
| 4.4.2 | TCPパッケージ用接着剤 |
| 4.4.3 | BGA/CSP用接着テープ |
| 4.5 | おわりに |
| 5 | リードフレーム用銅合金の技術動向と今後の展望(野村幸矢) |
| 5.1 | はじめに |
| 5.2 | リードフレーム用材料の基本特性 |
| 5.2.1 | 強度と導電率 |
| 5.2.2 | リード加工性 |
| 5.3 | 次世代のリードフレーム材料 |
| 5.4 | 各半導体パッケージ向けリードフレーム材料と今後の動向 |
| 5.4.1 | リードタイプパッケージ |
| 5.4.2 | エリアアレイパッケージ用メタルサブストレート |
| 5.4.3 | 表面実装型ディスクリート半導体 |
| 5.4.4 | スルーホール挿入型ディスクリート半導体 |
| 5.5 | 今後のリードフレーム開発動向 |
| 6 | リードフレーム・メタルサブストレート(堀晋一郎) |
| 6.1 | はじめに |
| 6.2 | リードフレーム概要（エッチング工法とスタンピング工法） |
| 6.3 | 金属材料（リードフレーム材料） |
| 6.4 | リードフレームの製造工程 |
| 6.4.1 | エッチング工程 |
| 6.4.2 | めっき工程 |
| 6.4.3 | 後加工 |
| 6.5 | メタルサブストレートの製造技術 |
| 6.5.1 | 一括封止用メタルサブストレート |
| 6.5.2 | ディスクリート、LED用メタルサブストレート |
| 6.5.3 | 高精度部分Agめっき |
| 6.5.4 | 密着性向上：フレーム粗化技術 |
| 6.6 | メタルサブストレートの技術動向 |
| 6.6.1 | 外部端子の多列化 |
| 6.6.2 | 新構造のメタルサブストレート（めっきタイプ、端子転写タイプ） |
| 6.7 | おわりに |
| 7 | ポリイミドコーティング剤〜東レ(富川真佐夫) |
| 7.1 | はじめに |
| 7.2 | 製品の概要 |
| 7.3 | 東レポジ型感光性ポリイミドコーティング剤の製品紹介 |
| 7.4 | 次世代向け感光性ポリイミドコーティング剤 |
|
| 第9章 | ボンディング材料 |
| 1 | 半導体製造プロセスにおける粘接着テープの最新動向(石渡伸一) |
| 1.1 | はじめに |
| 1.2 | 開発背景 |
| 1.3 | 高密度実装型パッケージ製造プロセス概要 |
| 1.4 | バックグラインディングプロセス |
| 1.5 | ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム |
| 1.6 | レーザ・ダイシング方式対応型ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム |
| 1.7 | ウエハレベルCSP用裏面保護フィルム |
| 1.8 | 半導体用年接着テープ今後の展望 |
| 2 | 高機能金ボンディングワイヤ(宇野智裕、山田隆) |
| 2.1 | はじめに |
| 2.2 | 高密度実装用ワイヤ |
| 2.3 | 低温接合用ワイヤ |
| 2.4 | 車載IC用途での高信頼性ワイヤ |
| 2.5 | 高信頼性ワイヤ |
| 3 | BGA・CSP用鉛フリーはんだボール――LF35・高耐落下衝撃性鉛フリーはんだボール(荒木省一) |
| 3.1 | はじめに |
| 3.2 | LF35鉛フリーはんだボールの耐落下衝撃特性 |
| 3.3 | LF35の高耐落下衝撃特性メカニズムに掛る考察 |
| 3.3.1 | 微量添加元素 |
| 3.3.2 | LF３５高耐落下衝撃特性の本質 |
| 3.4 | おわりに |
| 4 | BGA/CSP/FC用はんだボール(伊達正芳、佐藤光司) |
| 4.1 | はじめに |
| 4.2 | はんだボール製造法 |
| 4.3 | 小径ボール搭載方法の開発 |
| 4.4 | FCはんだ接合部の接続信頼性改善 |
| 4.5 | おわりに |
|
| 第10章 | 封止材料 |
| 1 | フリップチップ用封止材と圧縮成形用材料(野村英一) |
| 1.1 | はじめに |
| 1.2 | フリップチップ用エポキシ樹脂封止材 |
| 1.2.1 | SF材への基本要求特性 |
| 1.2.2 | Low-k層間絶縁膜へのSF材要求特性 |
| 1.2.3 | 鉛フリーハンダへのSF材要求特性 |
| 1.2.4 | Low-k/鉛フリー複合パッケージへの要求特性 |
| 1.3 | 一括封止用エポキシ樹脂封止材 |
| 1.3.1 | 圧縮成形法 |
| 1.3.2 | 低反りへのアプローチ |
| 1.3.3 | その他低反り手法 |
| 1.4 | 今後の取り組み |
| 2 | 半導体封止樹脂について(内田健) |
| 2.1 | エポキシ樹脂封止材料 |
| 2.2 | 半導体封止樹脂の課題 |
| 2.3 | 環境への対応 |
| 2.3.1 | 鉛フリーはんだへの対応 |
| 2.3.2 | ハロゲンフリーへの対応 |
| 2.4 | エリアアレイパッケージ対応 |
| 2.4.1 | 樹脂に要求される特性 |
| 2.5 | 京セラケミカルの現状 |
| 2.6 | 今後の展開 |
| 2.7 | おわりに |
|
