| 構成および内容 |
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| 【第1編 材料】 |
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| 第1章 | 低分子材料I（低分子p型トランジスタ用材料）（瀧宮和男） |
| 1 | はじめに |
| 2 | 蒸着材料 |
| 2.1 | 新規アセン類 |
| 2.1.1 | ペンタセン誘導体 |
| 2.1.2 | 低級アセン誘導体 |
| 2.2 | 含複素縮合多環芳香族化合物 |
| 3 | 溶液プロセス材料 |
| 3.1 | 前駆体（変換型）材料 |
| 3.2 | 可溶化オリゴアセン類 |
| 3.3 | 高溶解性テトラチアフルバレン（TTF）類 |
| 3.4 | 含複素縮合多環芳香族系 |
| 4 | おわりに |
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| 第2章 | 低分子系材料II（山下敬郎） |
| 1 | はじめに |
| 2 | p-型有機半導体 |
| 2.1 | アセン類 |
| 2.2 | へテロ環オリゴマー類 |
| 2.3 | テトラチアフルバレン（TTF）類 |
| 3 | n-型有機半導体 |
| 3.1 | アセン類 |
| 3.2 | へテロ環オリゴマー類 |
| 3.3 | TTF類 |
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| 第3章 | 高分子半導体材料（梅田時由、時任静士） |
| 1 | はじめに |
| 2 | 高分子半導体の特徴 |
| 3 | ポリチオフェン系材料 |
| 4 | 高移動度を示すチオフェン-チエノチオフェン系材料 |
| 4.1 | 薄膜の表面モルフォロジーと結晶構造 |
| 4.2 | 表面処理と薄膜の結晶性 |
| 4.3 | トランジスタ特性 |
| 4.4 | 大気安定性 |
| 5 | おわりに |
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| 第4章 | 単結晶材料（竹谷純一） |
| 1 | はじめに |
| 2 | 有機単結晶トランジスタの作製 |
| 2.1 | 有機単結晶トランジスタの構造 |
| 2.2 | 有機単結晶の成長と結晶表面の観察 |
| 2.3 | 単結晶トランジスタの作製方法 |
| 2.4 | 電界効果特性の測定 |
| 3 | 高移動度有機単結晶トランジスタの電界効果特性 |
| 3.1 | 自己組織化単分子膜を用いたルブレン単結晶トランジスタ |
| 3.2 | 有機単結晶トランジスタにおける高移動度実現のメカニズム |
| 3.3 | フッ素系ポリマーをゲート絶縁膜として用いたルブレン単結晶トランジスタ |
| 3.4 | 大気中で動作するn型有機単結晶トランジスタ |
| 4 | ルブレン単結晶トランジスタのホール効果 |
| 5 | おわりに |
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| 第5章 | 分子化合物系材料（長谷川達生） |
| 1 | はじめに |
| 2 | 導電性分子化合物材料への利用 |
| 2.1 | 高効率キャリヤ注入 |
| 2.2 | キャリヤ注入制御 |
| 3 | 分子化合物材料の新規プロセス技術 |
| 3.1 | シングルショット・インクジェット法 |
| 3.2 | ダブルショット・インクジェット法 |
| 4 | まとめ |
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| 【第2編 プロセス】 |
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| 第1章 | キャリア注入とambipolar化（安田剛） |
| 1 | はじめに |
| 2 | Ambipolar有機FET発展の歴史 |
| 3 | 有機FETにおけるキャリア注入 |
| 4 | 正孔及び電子輸送材料の積層、混合型ambipolar有機FET |
| 5 | 狭バンドギャップ有機半導体を用いた単層型ambipolar有機FET |
| 6 | 低仕事関数と高仕事関数の非対称ソース・ドレイン電極を用いた単層型ambipolar有機FET |
| 7 | その他のambipolar有機FET |
| 8 | まとめ |
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| 第2章 | 接触抵抗（森健彦） |
| 1 | はじめに |
| 2 | 接触抵抗の原因としての有機／金属界面の電子構造 |
| 3 | 局所ポテンシャル |
| 4 | 四端子法 |
| 5 | トランスファーライン法 |
| 6 | おわりに |
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| 第3章 | トップコンタクト短チャネル有機薄膜トランジスタ（塚越一仁） |
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| 第4章 | 低電圧化（北村雅季） |
| 1 | はじめに |
| 2 | 有機トランジスタの電流電圧特性 |
| 3 | 閾値電圧と動作電圧 |
| 4 | コンタクト抵抗の影響 |
| 5 | ゲート絶縁膜 |
| 5.1 | 絶縁膜の材料 |
| 5.2 | 絶縁膜の構造 |
| 5.3 | 製膜方法 |
| 6 | 実際の低電圧動作トランジスタ |
| 6.1 | pチャネルトランジスタ |
| 6.2 | nチャネルトランジスタ |
| 7 | おわりに |
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| 【第3編 測定技術と評価方法】 |
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| 第1章 | 薄膜構造解析（吉田弘幸、佐藤直樹、稲葉克彦） |
| 1 | 有機薄膜とその構造 |
| 2 | X線と薄膜構造 |
| 3 | 有機薄膜の結晶構造解析の要点 |
| 4 | 回折実験による結晶構造決定の原理 |
| 5 | X線回折測定による有機薄膜の結晶格子定数の決定 |
| 5.1 | 薄膜X線回折の測定 |
| 5.1.1 | Out-of-plane測定 |
| 5.1.2 | In-plane測定 |
| 5.2 | 結晶系と回折パターン |
| 5.3 | 逆格子マップ（RSM）法 |
| 5.4 | 結晶方位 |
| 5.5 | 逆格子マップ法の適用例 |
| 6 | 原子座標 |
| 7 | おわりに |
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| 第2章 | 有機トランジスタ中の電子スピン（丸本一弘、黒田新一） |
| 1 | はじめに |
| 2 | 導電性高分子デバイスのESR研究 |
| 2.1 | 高移動度導電性高分子、立体規則性ポリアルキルチオフェン（RR-P3AT） |
| 2.2 | ESR研究用のRR-P3AT MISダイオードの作製と動作 |
| 2.3 | RR-P3AT MIS界面のESR研究 |
| 3 | ペンタセンFETのESR研究 |
| 3.1 | ペンタセン |
| 3.2 | ESR研究用のペンタセンFETの作製と動作 |
| 3.3 | ペンタセンFET界面のESR研究 |
| 4 | ルブレン単結晶FETのESR研究 |
| 5 | 導電性高分子―フラーレン複合体デバイスのESR研究 |
| 5.1 | 導電性高分子―フラーレン複合体の両極性デバイス |
| 5.2 | ESR研究用のRR-P3HT-C60複合体MIS構造の作製と動作 |
| 5.3 | RR-P3HT-C60複合体MIS界面の両極性電荷キャリアのESR研究 |
| 6 | まとめと今後の展望 |
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| 第3章 | 光電子分光法（斉木幸一朗） |
| 1 | はじめに |
| 2 | 有機デバイス研究における光電子分光の役割 |
| 3 | バンド接続とFET特性の関係を示した代表的実験例 |
| 3.1 | Au電極表面修飾によるC60 FETの両極性動作 |
| 3.2 | 電界効果移動度と電荷注入障壁の関係 |
| 4 | 光電子分光による電子準位評価の問題点 |
| 5 | 電子準位とトランジスタ特性の同時評価の試み |
| 6 | AlPcCl薄膜の電荷極性の起源 |
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| 第4章 | 変位電流-チャネル電流法（真島豊） |
| 1 | はじめに |
| 2 | 有機薄膜トランジスタの変位電流-チャネル電流法の計測手法と理論解析 |
| 3 | トップコンタクト型ペンタセン薄膜トランジスタの変位電流-チャネル電流測定 |
| 4 | n型半導体の変位電流-チャネル電流特性 |
| 5 | まとめ |
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| 第5章 | SHG法による有機トランジスタの評価（岩本光正） |
| 1 | はじめに |
| 2 | マックスウェル・ワグナー効果素子としての有機トランジスタ |
| 3 | マックスウェル・ワグナー効果による有機FET内の電荷蓄積とSHGによる評価 |
| 4 | 時間分解SHG法によるFET内のキャリヤ輸送の測定 |
| 5 | まとめ |
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| 【第4編 新デバイス】 |
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| 第1章 | 発光トランジスタ（竹延大志） |
| 1 | はじめに |
| 2 | 有機発光トランジスタの歴史 |
| 3 | 単極性発光トランジスタ |
| 4 | 両極性発光トランジスタ |
| 5 | 有機単結晶を用いた両極性発光トランジスタ |
| 6 | 発光特性 |
| 7 | まとめ |
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| 第2章 | 電気二重層トランジスタ（下谷秀和、岩佐義宏） |
| 1 | はじめに |
| 2 | 電気二重層トランジスタの原理 |
| 3 | 研究動向 |
| 3.1 | 有機FETの低動作電圧化 |
| 3.2 | 物性研究への利用 |
| 4 | デバイス構成 |
| 4.1 | EDLTの作製法 |
| 4.2 | 電解液材料 |
| 5 | デバイス特性 |
| 5.1 | FET特性 |
| 5.2 | EDLTのゲート容量とキャリア濃度 |
| 5.3 | EDLTの応答速度 |
| 6 | まとめ |
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| 第3章 | 縦型有機トランジスタ（渡邊康之、工藤一浩） |
| 1 | はじめに |
| 2 | 有機トランジスタ |
| 3 | 縦型有機トランジスタ |
| 4 | 有機静電誘導トランジスタ |
| 4.1 | デバイスプロセス |
| 4.2 | デバイス動作メカニズム |
| 5 | 界面制御による動作性向上技術 |
| 6 | 有機SITのデバイス応用 |
| 6.1 | フレキシブル有機SIT |
| 6.2 | 有機論理素子 |
| 6.3 | 縦型有機発光トランジスタ |
| 7 | おわりに |
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