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| 第1章 | 半導体デバイス製造プロセスを支える洗浄技術 |
| 1. | 半導体デバイスと洗浄 |
| 1.1 | 洗浄の目的 |
| 1.2 | 汚れの由来 |
| 1.3 | 微細化・大口径化と洗浄 |
| 1.4 | 異物の大きさと洗浄の研究・開発課題 |
| 2. | 半導体洗浄の要素と操作 |
| 2.1 | 洗浄の4要素 |
| 2.2 | 物理的作用をもたらす現象 |
| 2.3 | 境界層 |
| 2.4 | 物理的付着物の扱い |
| 2.5 | 化学的付着物の扱い |
| 2.6 | 表面酸化膜中の汚染物の扱い |
| 2.7 | 薬液の種類 |
| 2.8 | 大量の微粒子と粘着物の扱い |
| 2.9 | 表面の保護 |
| 2.10 | 枚葉式とバッチ式 |
| 2.11 | 乾燥 |
| 3. | 洗浄工程 |
| 3.1 | 洗浄法設計の視点 |
| 3.2 | 洗浄工程の例 |
| 4. | 洗浄装置内諸現象の理解・活用・改善 |
| 4.1 | 水流の特徴と調べ方 |
| 4.2 | 枚葉式洗浄 |
| 4.2.1 | 装置 |
| 4.2.2 | 水の動きと水膜厚さ |
| 4.2.3 | ノズルスイングと流れ |
| 4.2.4 | ノズルスイングと化学反応 |
| 4.2.5 | 表面反応速度解析例 |
| 4.3 | バッチ式洗浄装置 |
| 4.3.1 | ノズル設計 |
| 4.3.2 | 水排出設計 |
| 4.4 | 超音波の効果と活用 |
| 4.4.1 | 超音波による水の動き |
| 4.4.2 | 超音波による気泡の動き |
| 5. | まとめとトラブル対策 |
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| 第2章 | 半導体デバイス製造プロセスにおける物理的洗浄技術 |
| はじめに |
| 1. | 半導体デバイス洗浄における必要性 |
| 1.1 | 半導体デバイスのコンタミネーション |
| 1.2 | 微粒子の付着理論 |
| 2. | 物理的洗浄の原理 |
| 2.1 | 物理的洗浄 |
| 2.1.1 | スプレー式洗浄のメカニズム |
| 2.1.2 | 流水式超音波洗浄のメカニズム |
| 2.2 | 二流体スプレー洗浄 |
| 2.3 | 高圧ジェット洗浄 |
| 2.4 | 流水式超音波洗浄 |
| 2.5 | 超音波振動体型洗浄装置 |
| 2.6 | ブラシ洗浄 |
| 3. | 次世代の物理的洗浄技術 |
| 3.1 | インクジェット方式洗浄 |
| 3.2 | 超臨界洗浄 |
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| 第3章 | 半導体デバイス製造プロセスにおけるクリーン化・汚染制御技術 |
| はじめに |
| 1. | 各種不純物の吸着挙動とウェーハ表面微量分析・電気測定技術 |
| 2. | 各種不純物に起因するデバイス特性劣化メカニズム |
| 3. | 各種不純物の洗浄技術とクリーンルーム環境モニタ技術 |
| 4. | 今後のクリーン化技術の課題 |
| おわりに |
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| 第4章 | 半導体デバイス製造プロセスを支える表面分析・評価技術 |
| 第1節 | 固液界面反応／現象により創成される半導体表面の極限評価技術 |
| はじめに |
| 1. | ウェットプロセスを経た半導体表面の原子構造のSTM観察 |
| 1.1 | ウェット洗浄を経たSi(100)表面の高分解能STM観察 |
| 1.1.1 | 希HF溶液に浸漬したSi(100)表面の原子構造解析 |
| 1.1.2 | 純水リンスを施したSi(100)表面の原子構造解析 |
| 1.2 | ウェット洗浄を経たSi(110)表面の高分解能STM観察 |
| 1.3 | 液相中での平坦化加工を経たSiC(0001)表面の高分解能STM観察 |
| 2. | 半導体表面上に形成される吸着水分子層のXPS観測 |
| 2.1 | 半導体製造プロセスにおける表面吸着水層の位置づけ |
| 2.2 | 低真空型XPS測定の実験方法 |
| 2.2.1 | 低真空型XPS装置の概要 |
| 2.2.2 | 試料の作製方法 |
| 2.3 | 低真空型XPSによる吸着水分子層の観測結果と考察 |
| 2.3.1 | 吸着水分子層厚さの解析方法 |
| 2.3.2 | 半導体表面上に形成された吸着水分子層厚さの湿度依存性 |
| おわりに |
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| 第2節 | エバネッセント光によるウェット条件下でのナノスケール現象の可視化技術と半導体洗浄プロセスへの応用 |
| はじめに |
| 1. | 半導体製造工程におけるウェット（Wet）プロセス |
| 1.1 | CMP工程 |
| 1.2 | 洗浄工程 |
| 1.3 | ラボスケールにおける洗浄現象の見える化 |
| 2. | 流体（液中・大気中）環境で観測する光学顕微鏡法 |
| 2.1 | 明視野照明法 |
| 2.2 | 暗視野照明法 |
| 2.3 | 全反射顕微鏡法（表面局在光の応用） |
| 2.3.1 | 表面近傍に限定した観測法の概要 |
| 2.3.2 | FDTDによる散乱光形態シミュレーション |
| 2.3.3 | 被洗浄表面近傍のナノ粒子挙動観測の概要 |
| 3. | ウェットプロセス表面の見える化装置と観測実験の一例 |
| おわりに |
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| 第5章 | 半導体デバイス製造プロセスを支える洗浄装置の開発動向 |
| - 半導体テクノロジーの進化を最前線で支え続ける - SCREENが誇る半導体洗浄装置 |
| はじめに |
| 1. | ウェット洗浄装置の種類 |
| 2. | 製品紹介 |
| 2.1 | 枚葉式洗浄装置「SU-3300」 |
| 2.2 | スクラバー方式の枚葉式洗浄装置「SS-3300S」 |
| 2.3 | 裏面洗浄に特化した枚葉式洗浄装置「SB-3300」 |
| 2.4 | バッチ式洗浄装置「FC-3100」 |
| 3. | バッチ式と枚葉式の変遷 |
| 4. | 次世代半導体実現への挑戦 |
| 4.1 | 脆弱なデバイスパターンの倒壊レスを実現する乾燥技術 |
| 4.2 | 欠陥レスを実現する表面処理技術 |
| おわりに |
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| - 高品質なシリコンウェーハ基板製造に寄与する - 芝浦メカトロニクスの枚葉式洗浄装置 |
| はじめに |
| 1. | シリコンウェーハ製造における洗浄工程 |
| 2. | SC300-CCシリーズの装置紹介 |
| おわりに |
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| - 高効率・ハイスループットでR&Dから製造現場までフォローする - ダルトンのリフトオフ装置と性能向上に向けた独自機能 |
| 1. | 半導体におけるリフトオフ装置とは |
| 2. | ダルトンリフトオフ装置 |
| 2.1 | バッジ処理によるリフトオフ |
| 2.2 | 枚葉処理によるリフトオフ |
| 2.3 | バッジと枚葉の併用によるリフトオフ |
| 3. | 性能向上にための機能 |
| 3.1 | Suffix System（サフィックス・システム） |
| 3.2 | 超音波モニター |
| 3.3 | DOM Jet System（ドム・ジェット・システム） |
| 3.4 | USF System（USFシステム） |
| 3.5 | ISF System（ISFシステム） |
| 3.6 | ジェットチャンバー洗浄機能 |
| 3.7 | 3ジェットノズル機能 |
| おわりに |
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| - 微細パーティクルを効率的に除去する超音波技術 - カイジョーの超音波洗浄機 |
| はじめに：半導体洗浄における超音波洗浄の役割 |
| 1. | バッチ式洗浄 |
| 2. | 枚葉式洗浄 |
| 2.1 | バッチ式洗浄と枚葉式洗浄の特徴 |
| おわりに |
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| - 低コスト・低環境負荷な洗浄プロセスを目指す - MTKの枚葉スピン式洗浄装置とその効果 |
| はじめに |
| 1. | MTK洗浄装置の構成 |
| 1.1 | 各ユニット紹介 |
| 1.1.1 | 洗浄チャンバー機構 |
| 1.1.2 | ウエハチャック機構 |
| 1.1.3 | 物理洗浄機能 |
| （1）2流体ジェット洗浄 |
| （2）ブラシ洗浄（ナイロン材質，またはポリビニルアルコール材質） |
| （3）超音波ノズル洗浄（周波数は3 MHz，1 MHz，256 kHzなど選択可能） |
| 1.1.4 | 搬送機構 |
| 1.2 | 洗浄に使用される薬液紹介 |
| 2. | 洗浄効果 |
| 2.1 | 洗浄前後におけるパーティクル数比較 |
| 2.1.1 | SiCウエハの洗浄（例） |
| 2.1.2 | Siウエハの洗浄（例） |
| 2.2 | 金属コンタミネーション除去効果 |
| おわりに |
