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<セミナー詳細>

セミナーコード:20080730   このセミナーの受付は終了しています

★パワーエレクトロニクスのキーデバイスであるパワー半導体は、各種電源、インバータ、自動車、
 家電、電力等、様々な用途・応用があり、省エネや電力機器・装置の低コスト・小型化に向けて、
 更なる高性能化が求められるいる!!
★本セミナーでは、パワー半導体素子の原理・特性を始め、高性能化のキーポイントとなる素子の
 開発動向・応用技術、又、具体的な応用装置への展開について、斯界の第一線でご活躍中の
 小倉博士に詳しく解説頂きます。

パワー半導体素子の高性能化動向と
応用装置への展開

●講 師 (株)東芝 セミコンダクター社
先端ディスクリート素子開発部
参事
工学博士
小倉常雄 氏 
<講師紹介>
慶應義塾大学工学部卒業。
同大学工学研究科修士課程修了。
(株)東芝総合研究所入所。
セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部にて一貫
してパワー半導体デバイスの研究開発に従事。
電気学会会員、同学会半導体電力変換技術委員会副委員長、
米国電気学会会員。
●日 時 2008年 7月 8日(火) 10:00〜16:00
(受付は講義開始時間の30分前からとさせていただきます。)
●会 場 東京・新お茶の水・総評会館・4F・401室  》》 会場地図はこちら 《《
※急ぎのご連絡は(株)技術情報センター(TEL06-6358-0141)まで!!
●受講料 49,980円(1名につき)
(同時複数人数お申込みの場合1名につき44,730円)
※テキスト代、昼食代、喫茶代、消費税を含む
●主 催 (株)技術情報センター


T.パワー半導体素子について(概論)
 1−1 パワー半導体素子への期待  1−2 パワー半導体素子の定義と特長  1−3 パワー半導体素子の用途  1−4 高性能化のためのパワー半導体素子への要求
U.パワー半導体素子の動作原理と基本特性
 2−1 SBD(Schottky Barrier Diodes)  2−2 pinダイオード  2−3 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors)  2−4 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistors)  2−5 各素子の比較  2−6 新材料デバイス
V.パワー半導体の高性能化のための素子開発動向
 3−1 ダイオードの研究課題と成果  3−2 MOSFETの研究課題と成果  3−3 IGBTの研究課題と成果  3−4 SiCデバイスの研究課題と成果  3−5 GaNデバイスの研究課題と成果
W.パワー半導体の高性能化のための素子応用技術
 4−1 安全動作領域  4−2 保護技術  4−3 モジュール化技術  4−4 ソフトスイッチング回路技術  4−5 同期整流回路技術
X.パワー半導体素子の応用装置の展開
 5−1 電動機(モータ)駆動分野  5−2 電源分野  5−3 電力分野  5−4 家電分野
Y.まとめと質疑応答

−名刺交換会−
セミナー終了後、ご希望の方はお残り頂き、参加者間での名刺交換会を実施させて頂きます。